光阻一般用作IC制造的光罩,使命完成后,应加以去除。光阻清洗包括前后段干湿刻蚀后光阻去除, S912XEG128J1MAA离子植入后光阻去除,曝光后L下层错位较大或缺陷较多需要重做的光阻去除(rework)。光阻下层的材料有很多种,如⒏、Si02、SiN、Al、I冫°wk等,这就要求在去除光阻的同时,不伤及下层薄膜。但零缺陷是不存在的,因此就出现不同的去除方法,以确保损伤最小。去除方法有无机氧化去除,有机湿法去除,氧电浆灰化合并无机氧化去除、氧电浆灰化合并有机湿法去除。

   无机氧化去除(栅极刻蚀和光阻Rework)

  这里常用的溶液是98%HJ⒏)l和31%HJ OJ的混合物,温度120~200°C(攵口上一节介绍的Piranha溶液)。它的氧化机理是氧化剂HrSΘi氧化有机物成CΘ2,从溶液放出;另外H202在高温下分解,同时都会产生副产物H2Θ,所以溶液很难维持一个恒定的组分,现在大部分机台都有定时添加化学品的功能.以补充使用的损失;还有一种向H2sO|通人臭氧(OJ),用03替代H202,形成叫做SOM的溶液,其使用时间较SPM长。这种光阻去除主要应用在栅极Si02的湿法刻蚀和重曝光的光阻去除上(rework),而离子植人后光阻的仝湿法去除,会用到大约⒛0℃高温的SPM。