双稳定态电阻开关效应被发现存在于钙钛矿氧化物如SrTio3,SrZrC)3(SZC)),PCMo,PZTO)、TA31164FN过渡金属氧化物(如NK),C旷O,W-O,TiON,Zr-O,F⒍())、同体电解质【・l叫甚至聚合物中。开关机制(而不是结构相变)主要基于导电纤维的生长和破裂L13Ⅱ1],这与金属离子、O离子/空穴、去氧化、电子俘获/反俘获(m。tt过渡)、高场介电击穿和热效 应有关。RRAM单元主要包括一个选择晶体管和一个MIM(金属-绝缘体-金属)电阻作为电阻开关材料(见图3.25)。RRAM看上去比较有前景缘于其可扩展性、低电压操作以及和BEOL的兼容性(特别是以基于Ctl O和W-o的单元)。目前,RRAM的耐久性在103~105之间。RRAM的工艺流程如图3.26所示。