- 正性光刻胶显影溶解速率随光强变化2017/10/30 21:34:17 2017/10/30 21:34:17
- 对于正性光刻胶,一般我们会得到显影溶解速率随照明光强的变化如图7.8所示。UC2844D8其中9R为显影速率,ε为曝光能量。其中E∴i为完全显影对应的能量(dosetode【ar)...[全文]
- 光源分系统2017/10/29 14:05:01 2017/10/29 14:05:01
- 前面讲过,光源一般有汞(mercury)灯、准分子(excimer)激光、激光激励的放电灯(如极紫外的二氧化碳激光激励的锡灯)等类型。光源分系统的任务是将发射角度整合成为科勒照明形式,并且使得部...[全文]
- 曝光区套刻的3个参量及其在硅片套刻上的表现2017/10/28 10:18:08 2017/10/28 10:18:08
- 曝光区套刻的3个参量及其在硅片套刻上的表现如图7.43所示。其实,对于曝光区,R010033600000000也有4个套刻参量,由于平移同网格的平移是重复的,所以一般不再专门将平移列在曝光区套刻...[全文]
- 确定观察内容、待测数据及记录数据的表格2017/10/27 20:56:06 2017/10/27 20:56:06
- 确定观察内容、待测数据及记录数据的表格实验中要测量的物理量,包括由UA723CNSR实验目的所直接确定或为获得这些物理量而确定的间接物理量、反映实验条件的物理量及作为检验用的物理量...[全文]
- 硅片上的间隙随掩膜版上的间隙在不同线宽的变化2017/10/26 21:09:07 2017/10/26 21:09:07
- 对于部分相干光照明,可以将式(723)对=1和2做一个平均(事实证明结果很精确)。S-3510ANFJA当然,这里采用了一些近似是为了物理含义更加清晰地展示出来。把式(723)代人...[全文]
- 掩膜版误差因子2017/10/26 21:00:33 2017/10/26 21:00:33
- 掩膜版误差因子(MaskErrorFactor,MEF)或者掩膜版误差增强因子(MaskEr⒛rEnhancementFactor,MEEF)定义为在硅片上曝出的线宽对掩膜版线宽的偏导数。S28...[全文]
- 以下流程的采用可以大幅度的降低缺陷的产生2017/10/25 21:10:59 2017/10/25 21:10:59
- 实践显示,以下流程的采用可以大幅度的降低缺陷的产生。(1)光刻胶本身必须洁净并且不含颗粒性物质。涂胶前必须使用过滤过程,而且过T-7571-3EC-TR滤器上的滤孔大小必须满足技术...[全文]
- 阻挡层2017/10/23 20:57:56 2017/10/23 20:57:56
- 阻挡层要有良好热稳定性和阻挡性能,与铜以及介电材料要具有良好的黏附性;阻挡OPA2334AIDGST层工艺要做到良好的侧壁覆盖率,良好的薄膜连续性。经过很多研究者的尝试和分析,钽作为阻挡层材料有...[全文]
- 嵌人式锗硅工艺2017/10/21 13:02:17 2017/10/21 13:02:17
- 嵌人式锗硅工艺(embedded⒏Gcprocess)被广泛使用于90nm及以下技术中的应力工程,利用锗、K4S561632N-LC60硅晶格常数的不同所产生的压应力(compressixest...[全文]
- 抛光设备:多片式抛光机,单片式抛光机。2017/10/20 21:04:05 2017/10/20 21:04:05
- 抛光设备:多片式抛光机,单片式抛光机。清洗:在晶片加I过程中很多步骤需要用到清洗,清洗有化学清洗和机械清洗。这里的N25Q064A13E1240F清洗是指抛光后的最终清洗,目的是清...[全文]
- 将单晶硅锭分段成切片设备可以处理的长度2017/10/20 21:01:16 2017/10/20 21:01:16
- 切断:切除单晶硅锭的头部、尾部及N18FPVLR超规格部分,将单晶硅锭分段成切片设备可以处理的长度,应切取试片测量单晶硅锭的电阻率和含氧量等。切断设备:内圆切割机或外圆切割机。滚磨...[全文]
- 用万用表检查主回路各点对地是否有短路2017/10/19 22:14:55 2017/10/19 22:14:55
- 用万用表检查主回路各点对地是否有短路,整流、逆变晶间管的阴、阳极之间的正、RC4391M反向电阻应在5kΩ以上。断开主交流接触器吸合线圈,使整流主回路无法受电,合上中频电源的电源空...[全文]
- 迹的电容器拆卸下来以便做进一步检查2017/10/19 22:04:21 2017/10/19 22:04:21
- 迹的电容器拆卸下来以便做进一步检查。对接线端的瓷套应该进行去污处理,若污垢R3130N19EC-TR严重很有可能形成电火花,烧坏补偿电容器,所以应经常注意保持补偿电容器接线端的清洁。...[全文]
- HDP-CVD中的再沉积问题2017/10/18 21:13:26 2017/10/18 21:13:26
- 另外,在HDPCVD中的物理轰击遵循碰撞中的动量守恒原理,因此被溅射出的物质存在一定角度。NDB6060L随着沟槽开口尺寸变小,当轰击离子质量较大时,被轰击掉的部分会有足够的能量重新沉积到沟槽侧...[全文]
- 氮氧化硅栅极氧化介电层的制造工艺2017/10/18 20:44:18 2017/10/18 20:44:18
- 氮氧化硅栅极氧化介电层主要是通过对预先形成的SiO2薄膜进行氮掺杂或氮化处理得到的,NC7NZ04K8X氮化的工艺主要有热处理氮化(thermal>physicaldcposition)两种。...[全文]
- RRAM2017/10/17 21:28:40 2017/10/17 21:28:40
- 双稳定态电阻开关效应被发现存在于钙钛矿氧化物如SrTio3,SrZrC)3(SZC)),PCMo,PZTO)、TA31164FN过渡金属氧化物(如NK),C旷O,W-O,TiON,Zr-O,F⒍...[全文]
- 适用于高k栅介质和金属栅的栅最后形戊或置换金属栅CMOs工艺流程2017/10/17 21:15:23 2017/10/17 21:15:23
- 适用于高k栅介质和金属栅的栅最后形戊或置换金属栅CMOs工艺流程T010050CMOS逻辑产品工艺流程是制造32nm或更早工艺节点的主导工艺流程。随着CMOS工艺特征尺寸继续按比例...[全文]
- 阻抗控制2017/10/16 21:00:09 2017/10/16 21:00:09
- 1.阻抗控制计算和控制各种由PCB线条构成的微带线和微带波导的波阻抗、相移常数、RCLAMP0521P.TCT衰减常数等,使其满足设计要求。2.传输延迟和阻抗匹配...[全文]
- 杂质的掺人影响二氧化硅性质2017/10/15 18:03:58 2017/10/15 18:03:58
- 杂质的掺人影响二氧化硅性质。在C、①SK)2中掺人磷,或者掺人硼、磷能够降PIC12LF1840-I/SN低氧化层的软化温度,就是利用这一特性,CX/I,屮SG和C飞DJPsG成为超大规模集成电...[全文]
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