- CVD的工艺步骤2015/11/7 22:00:21 2015/11/7 22:00:21
- CVD的工艺有着与氧化或扩散等相同的步骤。回顾一下，这些步骤包括预清洗（T艺要求的刻蚀）、G548A2P1UF淀积和评估。我们已经描述过清洗工艺，即用于去除微粒和可动的离子污染。化学气相淀积，如...[全文]
- 桶式辐射感应加热APCVD2015/11/6 19:51:09 2015/11/6 19:51:09
- 在水平系统中，对更大直径的晶圆水平式放置，其装载密度低，AD7549KP并且更大的晶圆托架也会限制淀积的均匀性。桶式辐射加热系统（见图12.13）解决厂这些问题。该系统的反应室是一种柱状的不锈钢...[全文]
- 离子注入掩膜2015/11/5 18:44:22 2015/11/5 18:44:22
- 离子注入的一个重要优点是多种类型的掩膜都可以有效地阻止离子束流。AD7010JRS对于扩散工艺，唯一有效的掩膜是二氧化硅。半导体工艺所用的大多数薄膜都可用来阻止束流，包括光刻胶、二氧化硅、氮化硅...[全文]
- 扩散的概念2015/11/4 22:24:04 2015/11/4 22:24:04
- 扩散掺杂T艺的开发是半导体生产的一个重要进步。扩散是一种材料通过另一种材料的运动，ADS7881IPFBR是一种自然的化学过程，在日常生活中有很多例子。扩散的发生需要两个必要的条件。第一，一种材...[全文]
- 刻蚀轮廓控制2015/11/4 22:19:27 2015/11/4 22:19:27
- 在第9章中，ADS7870EA各向异性刻蚀的概念用来说明形成竖直（或接近竖直）刻蚀侧墙的一种方法。当刻蚀层实际上是多层不同材料叠在一起时，该问题变得更复杂[见图10.40(a)]。使用选择性比较...[全文]
- 刻蚀轮廓控制2015/11/4 22:19:24 2015/11/4 22:19:24
- 在第9章中，ADS7870EA各向异性刻蚀的概念用来说明形成竖直（或接近竖直）刻蚀侧墙的一种方法。当刻蚀层实际上是多层不同材料叠在一起时，该问题变得更复杂[见图10.40(a)]。使用选择性比较...[全文]
- 剥离工艺2015/11/4 22:15:57 2015/11/4 22:15:57
- 在表面层中的图形尺寸最终是由曝光和刻蚀工艺共同决定的。在工艺中，ADS7868IDBVT钻蚀（光刻胶支撑）的地方是个问题，例如铝刻蚀，尺寸变化的刻蚀成分可能是决定性的因素。一种可以...[全文]
- 化学机械抛光小结2015/11/4 22:07:29 2015/11/4 22:07:29
- 化学机械抛光是一步关键的平坦化工艺，它需要平衡高度集成化和许多工艺参数。ADS7863IRGET主要参数是：研磨垫的构成、研磨垫的压力、研磨垫旋转速度、机台旋转速度、磨料浆的流速、磨料浆的化学成...[全文]
- 化学机械抛光2015/11/4 21:56:32 2015/11/4 21:56:32
- 讲述的平坦化方法都是局部平坦化而不足晶圆整体表面平坦化(globalplanarization)。ADS7846N小尺寸图形由于光散射的影响还是很难做出来的。而且由于还存在表面台阶，就还存在台阶...[全文]
- 高压汞灯源2015/11/2 21:17:43 2015/11/2 21:17:43
- 曝光源的选择要和根据光刻胶的光谱响应范围和所需达到的特征图形尺寸相匹配。EL2045CSZ早期的光刻机使用高压汞灯作为曝光光源，它随着电流通过汞灯管发出光线。高压保证了对水银进行高振荡时不会引起...[全文]
- 时间和温度是软烘焙的主要参数2015/10/31 19:19:24 2015/10/31 19:19:24
- 时间和温度是软烘焙的主要参数。EL5165IWZ-T7在光刻过程中，两大主要目标是正确的图形定义和在刻蚀过程中光刻胶和晶圆表面良好的黏结。这两个目标都会受软烘焙温度的影响。在极端情况下，不充分的...[全文]
- 硅和水蒸气反应形成二氧化硅和氢气2015/10/28 20:57:40 2015/10/28 20:57:40
- 水在氧化反应时是以水蒸气的形态存在的，这种工艺称为蒸气氧化(steamoxidation)、湿K4M51323PC-DG90氧化(wet>态水来源于液态水。只有氧参与的氧化称为干氧化。如果只用氧...[全文]
- 烘干技术2015/10/27 21:02:04 2015/10/27 21:02:04
- ·旋转淋洗甩于机(SRD)·异丙醇(IPA)蒸气蒸干法·表面张力/Marangoni烘干法旋转淋洗甩干机(SRD)：RT9173CPSP在旋转淋洗甩干机...[全文]
- 典型的FEOL清洗工艺2015/10/27 20:26:26 2015/10/27 20:26:26
- 另一个最为关键的方面是保持栅氧的完整性。清洗工艺可能会破坏栅氧从而使其粗糙，RT9166-33GVL尤其是较薄的栅氧最易受到损害。在MOS晶体管中，栅氧是用来做绝缘介质的，因此它必须具有一致的结...[全文]
- 晶圆隔离技术2015/10/26 21:51:10 2015/10/26 21:51:10
- 晶圆隔离或微局部环境技术还有利用其他方法升级现存制造工厂的优点（见图5.14），HEF4052BTR二因污染而损失的成品率可降低，这个优点即使在小型工厂或费用较低时也可以使用。，WITr玎使空气...[全文]
- 洁净工作台法2015/10/26 21:40:19 2015/10/26 21:40:19
- 半导体I：业采用净化问技术最初是由NASA（美国航空航天局）为组装航天器和IJ星而开发的。HEF40106BTR与扩大到需要拥有更多工人的更大牛产区域时，足以装配卫星的小型净化问小能维持。该问题...[全文]
- 集成电路的封装2015/10/25 17:53:29 2015/10/25 17:53:29
- 在图4.21中，STP10NK60ZFP绝大部分晶圆会被送到第4个制造阶段——封装(packaging)．封装厂町能tj晶圆厂在一起，或者在远离的地点，许多半导体制造商将晶圆送到海外的厂封装芯片...[全文]
- 基本十步的图形化工艺2015/10/25 17:30:57 2015/10/25 17:30:57
- 有许多独立的图形化工艺过程，它规定器件结构的轮廓，在器件中叠层的组合，SSL2102T并继续减少器件的尺寸。然而，有一个基本的f步模式过程如图4.13所示．细节和变化将在第8章至第10章中讨论。...[全文]
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