讲述的平坦化方法都是局部平坦化而不足晶圆整体表面平坦化( global  planarization)。ADS7846N小尺寸图形由于光散射的影响还是很难做出来的。而且由于还存在表面台阶，就还存在台阶处金属覆盖不好的问题。化学机械抛光( CMP)不仅在晶圆制备阶段被用（见第3章），而且在晶圆加工f艺过程中也用来做晶圆表面整体平坦化。

   化学机械抛光之所以受欢迎是因为具有如下特点-引：

   ·可以达到晶圆表面整体平坦化

   ·研磨去除所有表面材料

   ·适用于多种材料的表面

   ·使高质量的大马士革工艺和铜金属层成为可能

   ·避免使用有毒气体

   ·是一种低成本工艺

   晶圆抛光和平坦化使用相同的基本工艺。然而，挑战非常不同。在晶圆抛光时，几微米的硅被去除。，在平坦化工艺中，要求化学机械抛光去除材料的量在1 um或更少。还有，这些金属工艺出现几种要被去除的材料。它们有不同的去除速率和高的均匀平坦化的期望。这些问题将在第13章讲述。