曝光源的选择要和根据光刻胶的光谱响应范围和所需达到的特征图形尺寸相匹配。EL2045CSZ早期的光刻机使用高压汞灯作为曝光光源，它随着电流通过汞灯管发出光线。高压保证了对水银进行高振荡时不会引起水银蒸发。

   从汞灯发出的光按波长被分为几段。一些光刻胶是为汞灯全光谱反应设计的，而另一些 则是针对其某一特定波长设计的。还有一些光刻胶是针对汞灯特殊的能量峰值设计的。，汞灯 有3个能量峰值，它们对应的波长分别是：365 nm、405 nm和436 nm。

   这3个波长也被相应称为：I线、H线和G线。光刻机通常使用滤波器只允许G线或I线通过。I线光成为亚微米时代的首选曝光源。I线的波长是365 nm（0.365ILm），它和0.35 ym的产品尺寸接近。在实际生产中，要想制作出比曝光波长还小的图形是很难的。

   受激准分子激光器

   还有另外一种深紫外( DUV)光源，它就是受激准分子激光器。以下气体激光器和它们的发光波长分别为：XeF(351 nm)、XeCl(308 nm)、KrF( 248  nm)、ArF( 193 flITI)4}。已开发K，F和A，F用于130 nm芾点以上的工艺，考虑用ArF作为小于130 nm图形的光源：也是一个在ArF'之后待考虑的候选材料ii6。