除了来自材料和处理中的有害杂质外，CZ过程本身增加了两种晶体杂质。MC9S12DJ64MFU一是来自石英坩埚的氧气。二是来自热温区域石墨中的碳。氧是在得到的晶片和电路的电活性。碳可以促进氧沉淀一:。

   晶体从单晶炉里出来以后，到最终的晶圆会经历一系列的步骤。第一步是用锯子截掉头尾，，

   直径滚磨

   在晶体生长过程中，整个晶体长度中直径是有偏差的（见图3. 17）。晶圆制造过程有各种各样的晶圆固定器和自动设备，需要严格的直径控制以减少晶圆翘曲和破碎。

   直径滚磨是在一个无中心的滚磨机( centerless grinder)

j：进行的机械操作。机器滚磨晶体到合适的直径，无须用一个同定的中心点夹持晶体在车床型的滚磨机上操作。