另一个最为关键的方面是保持栅氧的完整性。清洗工艺可能会破坏栅氧从而使其粗糙，RT9166-33GVL尤其是较薄的栅氧最易受到损害。在MOS晶体管中，栅氧是用来做绝缘介质的，因此它必须具有一致的结构、表面状态和厚度。栅氧的完整性( GOI)是靠测试栅的电性短路来测量的引.

   对于后端r艺线( BEOI．)的清洗，除了颗粒问题和金属离子的问题，通常的问题是阴离子、多晶硅栅的完整性、接触电阻、通孑L的清洁程度、有机物以及在金属布线中总的短路和开路的数量。这些问题将在第13章中讨论。光刻胶的去除也是FF,OL和BEOL都存在酌很重要的一种清洗工艺。它所存在的问题将在第9章中探讨。

   不同的化学物质与清洗方法相结合以适应工艺过程中特殊步骤的需要。典型的FEOL清洗工艺（例如氧化前的清洗）列在图5. 24中。所列出的FF.OL清洗称为非HF结尾的T艺其他的类型是以HF去除工艺结尾的清洗。非HF结尾的表面是亲水性的，呵以被烘干『斫不留任何水印，同时还会生成（在清洗过程中形成）一层薄的氧化膜从而对其产生保护作用．、这样的表面也容易吸收较多的有机污染物。HF结尾的表面是厌水性的，在有亲水性（氧化物）表面存在时不容易被烘干而不留水印。这样的表面由于氢的表面钝化作用而异常稳定川