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氮和氮化物2016/6/21 22:25:43
2016/6/21 22:25:43
氮和氮化物。栅氧中OF140SC100D通常通过掺氮和氮化处理来减少在PMOs器件中的硼扩散,改善器件抗Hα效应能力和增加介电常数等。但是氮的存在通常会使NBTI退化增强,国际半导体的Chapa...[全文]
楔形的空隙增加了导体的电阻2016/6/21 22:10:16
2016/6/21 22:10:16
楔形的空隙增加了导体的电阻,而撕裂OMI-SS-124D形的空隙造成了开路失效。失效的特点如下:(1)因撕裂型空隙形成的开路失效发生在铝被长时间(数千小时)放在高温下之后;...[全文]
多晶硅发射极高性能结构2016/6/19 18:52:18
2016/6/19 18:52:18
多晶硅发射极高性能结构,该结构适用于3.3V结构是一种共具有23步掩膜步骤的Bi-CMOS和5V的电路。这种结构ES1B-13-F建立在双多晶硅层、双金属、双阱0.6um标准CMOS工艺的基础之...[全文]
早期研制的集成电路都是双极型的2016/6/17 21:44:28
2016/6/17 21:44:28
早期研制的集成电路都是双极型的,1960年以后出现了采用MOs(Mcta1_oxidc¨semi¨conduGtor)结构和工艺的集成电路,从此MOs集成电路得到了迅速发展。H3CR-A双极型和...[全文]
工艺过程周期2016/6/17 21:35:24
2016/6/17 21:35:24
晶圆在生产中实际处理的时间可以用天来计算。但是由于在各工艺过程的排队等候和工艺问题引起的临时性减慢,晶圆通常会在生产区域停留几个星期。H12WD4890PG晶圆等待的时间越长,受到污染而导致电测...[全文]
前端工艺引入的缺陷2016/6/15 20:54:39
2016/6/15 20:54:39
高介质常数材料对很多应用来说,高介质常数材料已取代像二氧化硅和氮化硅这样的传统材料。CY27C512-55WMB高介质常数材料(如%2α、BasrTio3、PbLaZr△03等)可用做栅介质...[全文]
金属铜离子在硅片表面阴极被还原成金属铜原子2016/6/14 21:18:11
2016/6/14 21:18:11
电镀铜金属是将具有导电表面的硅片沉浸在硫酸铜溶液中,该溶液中包含需要被沉积的铜。EL5427CRZ片子和种子层作为带负电荷的平板或阴极连接到部电源。固体铜块沉浸在溶液中并构成带正电荷的阳极。电流...[全文]
金属钨2016/6/14 21:13:55
2016/6/14 21:13:55
多层金属化产生了数量很多的接触孔,这些接触孔要使用金属填充塞来填充,EL5423CR以便在两层金属之间形成连接通路。接触填充薄膜被用于连接硅衬底中器件和第一层金属化。目前被用于填充的最普通的金属...[全文]
金属硅化物 2016/6/14 20:59:55
2016/6/14 20:59:55
金属硅化物的产生与形成难熔金属与硅在一起发生反应,熔合时形成硅化物。硅化物是一种具有热稳定性的金属化合物,并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。EL5374IUZ在硅片制造业中...[全文]
多晶硅薄膜2016/6/11 17:36:45
2016/6/11 17:36:45
利用多晶硅替代金属铝作为MOs器件的栅极是MOs集成电路技术的重大突破,AD7892BN-2它比利用金属铝作为栅极的MOs器件性能上得到了很大提高,而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注...[全文]
sio2膜的制备 2016/6/10 18:13:29
2016/6/10 18:13:29
sio2的制备方法有许多种,包括热氧化法、热分解法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、SG40281B1-000U-G99等离子氧化法等。各种制备方法各有特点,不过,热氧化法是应用最为广泛的,这是...[全文]
氧化工艺 2016/6/10 17:36:56
2016/6/10 17:36:56
单晶硅表面上总是覆盖着一层So2,即使是刚刚解理的单晶硅,在室温下,只S606N-1000要在空气中一暴露就会在表面上形成几个原子层的氧化膜。当把硅晶片暴露在高温且含氧的环境里一段时间后,硅晶片...[全文]
失效模式的定义2016/6/9 22:32:04
2016/6/9 22:32:04
失效模式就是指器件失效的形式,只讨论器件是“怎样”失效的,并不讨论器件为什么失效。AD9777BSV通常器件失效的表现形式多种多样。从外观上看,有涂层脱落、标志不清、外引线断、松动、封装不完整、...[全文]
开展对信息流的分析2016/6/7 20:22:58
2016/6/7 20:22:58
人与物的结合需要有4个信息媒介物:第1个信息媒介物是位置台账,它表明该物在何处,ADC081S021EVAL通过查看位置台账,可以了解所需物品的存放场所;第2个信息媒介物是平面布置图,它表明该处...[全文]
定置信息可以分为以下两种2016/6/7 20:16:57
2016/6/7 20:16:57
定置信息可以分为以下两种。●引导信息。它告诉ADC081S021CIMF人们物在何处,如仓库的物品台账。又如,定置的平面布置图可●确认信息。这是为了避免物品混...[全文]
工艺纪律 2016/6/6 20:55:38
2016/6/6 20:55:38
工艺纪律是在生产过程中有关人员应该遵守的工艺秩序,是企业为维护工艺的严肃性、AD9851BRSZ保证工艺的贯彻执行、建立稳定的生产秩序、确保产品加工质量和生产安全而制定的某些具有约束性的规定。工...[全文]
悍接可靠性评价 2016/6/5 18:17:27
2016/6/5 18:17:27
焊点可靠性评价的方法是多维度的,因此,在对产品的可靠性进行测试评价前,首先要NJM353M确定测试的方法,找出产品的薄弱点,这样才能对单板开展有效的可靠性评价。焊点可靠性评价的基本...[全文]
压接不良的检查方法 2016/6/4 22:45:01
2016/6/4 22:45:01
压接不良的检查方法主要有目检、放大镜、X求ay、工装、塞规等。①目检:通过目视检查的方式,可检查K9F4G08UOB-PIBO压接元器件的外形是否破损和变形、是否压接到位等。...[全文]
焊点拉尖不良2016/6/3 20:52:01
2016/6/3 20:52:01
波峰焊接后在元器件和零件脚顶AFB0712HHD端或焊点上发现有呈钟乳石状或冰柱形的钎料称为拉尖,焊点拉尖不良如图9.26所示。图926焊点拉尖不良拉尖...[全文]
形成机理 2016/6/2 22:51:17
2016/6/2 22:51:17
波峰焊接接合过程发生的物理现象通过焊接,金属为什么会接合到一起并形咸连接强度呢?以常用的Sll~s7Pb合金钎料为例,MAC224-6在焊接温度作用下,它是通过熔融钎料润湿接合金属...[全文]
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