高介质常数材料――对很多应用来说,高介质常数材料已取代像二氧化硅和氮化硅这样的传统材料。CY27C512-55WMB高介质常数材料(如%2α、BasrTio3、PbLaZr△03等)可用做栅介质、DRAM电容器的介质以CY27C512-55WMB及集成在硅衬底上的放电电容器的介质。对于栅介质应用,有可能用外延介质(用晶体结构与衬底相同的介质),但对所有其他应用来说,高介质常数材料在本质上是多晶的。从缺陷表征的观点来看,表征多晶材料的典型问题将与高乃介质有关。

   栅材料――介质/金属界面处的任何不均匀性以及栅电极的成分变化都将导致栅的非等电位面的产生,这会相应地导致不合格的阈值电压变化。浅结――浅源/漏结将产生新的可靠性和成晶率问题。硅化物不应吸收来自衬底的硅。界面处的原子粗糙度可造成电流集边的问题,带来性能、可靠性和成品率的问题。还有一个与晶界加剧扩散有关的问题,可在源/漏区引起有害的片式电阻变化。表3.3概括了前端工艺中的主要材料/工艺变化。