金属硅化物的产生与形成

   难熔金属与硅在一起发生反应,熔合时形成硅化物。硅化物是一种具有热稳定性的金属化合物,并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。EL5374IUZ在硅片制造业中,难熔金属硅化物是非常重要的,因为为了提高芯片性能,需要减小许多源漏和栅区硅接触的电阻。在铝互连工艺技术中,钛和钴是用于改善接触的普通难熔金属。如果难熔金属和多晶硅反应,那么它被称为多晶硅化物。掺杂的多晶硅用做栅 电极,相对而言它有较高的电阻率(约5O0uΩ・cm),正是这较高的电阻率导致了不应有的RC信号延迟。多晶硅化物对减小连接多晶硅的串联电阻是有益的,同时也保持了多晶硅对氧化硅良好的界面特性。

   随着超大规模集成电路器件尺寸的按比列缩小,MOs管的源/漏区和第一层金属间的接触面积越来越小,这个小的接触面积将导致接触电阻增加。一个可提供稳定接触结构、减小源/漏区接触电阻的工艺被称为自对准硅化物技术。它能很好地与露出的源(s)、漏(D)以及多晶硅栅的硅对准。许多芯片的性能问题取决于自对准硅化物的形成(如图2.21和图2.”所示),自对准硅化物的主要优点是避免了对准误差,硅化物的一些特性列于表2.10中。