- 变量的变量名与内存单元2016/7/13 21:06:18 2016/7/13 21:06:18
- 在变量与内存单元的对应关系中,变量的变量名与内存单元的地址相对应。HFCN-8400变量的变量值与内存单元的内容相对应。假设程序中定义了两个整型变量a和b,它们的值分别为2、3,而...[全文]
- C51数据的存储类型2016/7/12 21:21:07 2016/7/12 21:21:07
- C51是面向51单片机的程序语言,所以任EPM71601SLC84-10何数据都必须以一定的方式存储在不同的位置。数据分为常量和变量两种形式。常量可以用一个标志符号来代表;变量由变...[全文]
- C51语言和汇编语言的关系2016/7/12 21:07:36 2016/7/12 21:07:36
- C51是一种在MCs-51系列单片机上使用的C语言。C51具有很强的语言表达能力和运算能力,EPM1270T144I5N而且可移植性很好,在单片机上用C编写程序,可以有效地提高程序员的工作效率。...[全文]
- 循环程序2016/7/12 20:45:28 2016/7/12 20:45:28
- 在实际设计中,常常会遇到功能相同、需要多EP3C16F484C8N次重复执行某段程序,用循环程序的方法来解决就比较合适。循环程序有助于节省程序空间,使程序更加紧凑,提高程序的质量,但并不...[全文]
- 返回指令2016/7/11 22:19:38 2016/7/11 22:19:38
- (1)子程序返回指令先把栈顶的一个数弹出赋给PC的高8位,然后调整栈顶位置,再把栈顶的一个数弹出赋给PC的低8位,再次调整栈顶位置,这个给PC赋值的顺序与子程序调...[全文]
- 80C51单片机输入/输出(l/O)口2016/7/9 20:55:56 2016/7/9 20:55:56
- 在gOc51单片机中有4个双向的8位I/o口P0~P3,在无片外存储器的系统中,这4个Vo口的ADE-25MH每一位都可以作为准双向通用V0口使用。在具有片外存储器的系统中,P0口作为地址线的低...[全文]
- 外部程序存储器读选通信号PsEN 2016/7/8 21:07:28 2016/7/8 21:07:28
- 外部程序存储器读选通信号PsENPsEN是读外部程序存储器的选通信号,低电平有效。CPU从外部存储器取指令时,它在H7ET-NV-B每个机器周期中两次有效。程序存储器...[全文]
- 静态基本存储电路2016/7/7 21:21:47 2016/7/7 21:21:47
- MOS触发器静态RAM是用MOs管作为基本记忆元件。图2.9是一个NMOS八管静态基本存储单元电路。ADIS16334BMLZ输入信号主要有X地址译码线和Y地址译码线,统称为字线,I/o和I/O...[全文]
- uVision4程序调试界面2016/7/5 20:41:23 2016/7/5 20:41:23
- 图1.4所示为程序调试界面,在此环境下可实现单步、跟踪、断点与全速运行方式调试,并可打开寄存器窗口、EB2-9NU-L1存储器窗口、I/O并行端口窗口、定时/计数器窗口、中断窗口、串行窗口以及自...[全文]
- NBTl效应的测量2016/7/4 21:38:31 2016/7/4 21:38:31
- 栅极加上负偏置应力电压,电压值DSEE55-24N1F的大小由斜坡电压确定,该负栅偏置应力电压一般应大于最高工作电压‰slllax,小于1,5倍的其他各极接地,避兔过量的隧穿应力,如图l1.15...[全文]
- 数据处理2016/7/3 17:53:53 2016/7/3 17:53:53
- 在对数正态坐标上描出累积失效率分布,得到加速应力下的寿命时间。计算温NTD60N03RT4度应力和电场应力的加速度,即可推算出工作条件下的TDDB效应的寿命时间。工作条件下的寿命是加速应力条件下...[全文]
- 与时间有关的栅介质击穿2016/7/3 17:45:37 2016/7/3 17:45:37
- 随着超大规模电路器件尺寸的等比例缩小,器件生产过程中薄栅氧化层上的高电场成NJM78M05DL1A为了影响器件成品率和可靠性的主要因素。当有足够的电荷注入氧化层时,会发生氧化层介质的击穿,这种击...[全文]
- 测试要求2016/7/3 17:35:35 2016/7/3 17:35:35
- 选择最小几何尺寸的器件,宽度可根据需要进行选择,在最坏的偏置应力条件下进行热载流子注入效应的测量,需要考虑如下的几个因素:NDP7052确定最坏的偏置应力条件;选择适当的器件参数来测量器件的退化...[全文]
- 或非门电路的栅电压与衬底电流的对应关系2016/7/2 18:37:39 2016/7/2 18:37:39
- 图10.9所示是或非门电路的栅电压与衬AD8051AR底电流的对应关系,最大衬底电流发生在栅压为2.05V处,此时的衬底电流是1.53uA,对应的漏极电流是0.绲41mA。...[全文]
- 饱和区漏源电流2016/7/1 22:44:46 2016/7/1 22:44:46
- 沟道开启后,当漏极电压进一步增大时,会使栅电压被抑制。在漏端附近的反型层将最终消失,CAP008DG或者说靠近漏端的si/s02界面的沟道载流子浓度开始等于衬底掺杂浓度时可以看成沟道的夹断。这时...[全文]
- 匹配的原则2016/6/28 23:30:45 2016/6/28 23:30:45
- 匹配的原则。尽量ADS1255IDBR将匹配的器件靠近放置,保持器件的方向一致,选择一个中间值作为根部件,还可用交叉法、共心法,采用虚拟器件法等。Poly尽量不做连线,因为Po~的电阻比较大,不...[全文]
- MPW加工服务中心的职能2016/6/28 21:42:07 2016/6/28 21:42:07
- MPW加工服务中心的职能如图8.11所示。不同的ADF4153BCPZ设计单位在自得到集成电路的最终描述(版图),通常是以GDSII格式或CIF格式描述。MPW服务中心将多个集成电路设计合并成一...[全文]
- 圆片级栅氧的可靠性评价技术 2016/6/27 21:58:15 2016/6/27 21:58:15
- 随着超大规模集成电路线宽的不断缩小,栅氧化层变得越来越薄,而电源电压却不能按比例下降。BP1361栅氧化层工作在较高的电场强度下,使栅氧化层的抗电性能成为一个突出的问题。栅极氧化层的抗电性能不好...[全文]
- 可靠性评价的测试结构 2016/6/23 22:15:27 2016/6/23 22:15:27
- 在一个用户的最终产品中,半导体器件在给定的工作条件下,在产品的特定寿命期间内必须能够稳定地工作。ADM1181AARWZ-REEL要达到上述目的,必须对半导体器件的可靠性进行评价。...[全文]
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