氮和氮化物。栅氧中OF140SC100D通常通过掺氮和氮化处理来减少在PMOs器件中的硼扩散,改善器件抗Hα效应能力和增加介电常数等。但是氮的存在通常会使NBTI退化增强,国际半导体的Chaparala等人使用栅长为0.4um、厚度为6,犰m的MOs器件,在85℃和150℃的温度下,测量热载流子的不稳定和NBTI效应,发现高浓度的氮使NBTI的退化增强,退化的激活能为0.胼eV。NEC的Ⅻmizuka等人使用栅氧厚度为2~4nm、0.18um线宽的MOSFET,他们测量饩h、gln和龟后发现,P沟道MOSFET的NBTI比N沟道MOsFET的NBTI更严重。Ichinosc等人使用Si3N4沉积形成侧壁并且发现NBTI寿命取决于氮化物膜中siH的浓度,较低的siH浓度导致NBTI寿命较长。

   Ⅱu等人发现采用N20氮化的二氧化硅,快速热退火含氮二氧化硅曰No,远程离子氮化的二氧化硅RPNo,由于其栅氧暴露在高密度的远程氮的放电中,这些介质都比纯sio2有更低的NBTI退化。但高氮浓度的RPNo与低氮浓度相比具有更差的NBTI性能。Kimizuka等人找到退化NBTI的氮,具有更高含量的氮导致更严重的退化。