多晶硅发射极高性能结构,该结构适用于3.3V结构是一种共具有23步掩膜步骤的Bi-CMOS和5V的电路。这种结构ES1B-13-F建立在双多晶硅层、双金属、双阱0.6um标准CMOS工艺的基础之上。在CMOS电路部分采用了埋入N+和/层以提高抗闩锁能力。同时在该结构中,还采用了硅化物MOs栅极和多晶硅发射极双极型结构,隔离采用LOCOs。

   典型的双阱工艺步骤如下:

   开始的材料为P型轻掺杂I00晶向单晶硅片。首先热生长一薄层二氧化硅并沉积一层氮化硅。光刻并腐蚀掉埋层N区域的氮化硅。进行锑注入,如图4.33所示。

  对注入的锑进行退火并热生长一层二氧化硅,此时N埋层上方生长一层厚氧化层,接着去除氮化硅。进行硼注入,埋层N上方的厚氧化层阻挡该区域的硼注入,在N^埋层以外的区域注入了硼。该工艺称为自对准工艺,可以只使用一块光刻版而形成埋层N和埋层P,如图4.34所示。