- Eu2+荧光体也体现了良好的发光性能2016/11/8 20:57:07 2016/11/8 20:57:07
- 余泉茂等报道了Ca2s⒑4∶Eu3+能实现红光发射。Lulls。l报道了s勹s⒑4高温固相反应机理。Hsu通过溶G1801DG胶凝胶法合成了s。S⒑4∶Eu2+。Park还报道了Ca2xs缸s⒑...[全文]
- 激发和发射光谱2016/11/7 21:13:53 2016/11/7 21:13:53
- Li等研究了Eu2+激活的碱土氮氧硅化合物的发光特性,确定在AD8571AR化合物中存在富氮相,Eu2+掺杂Mes辶o2δN2+γ3δ(Mc=Ca,⒌,Ba)的发射光谱为典型的由Eu2+离子的5...[全文]
- 硅氮氧化合物 2016/11/7 21:12:01 2016/11/7 21:12:01
- 碱土硅氮氧化合物Mcsi202N2∶Rc(Me=Ca,Sr,Ba)是最早报道的氮化物荧光体之一。CaO-Si3N4ˉAlN和S⒈Si-0-N体系中的氮氧化硅化合物Casi202N2和Srsi20...[全文]
- 发光与发光材料 2016/11/6 18:04:38 2016/11/6 18:04:38
- 物质将从外界吸收的能量以光的形式释放出来的过程被称为物质的发光(1uminesccllcc)。G48102DL-R具有实用价值的发光物质称为发光材料或荧光材料,也称为荧光体(Phosphor)。...[全文]
- 芯片结构与实现 2016/11/5 19:28:18 2016/11/5 19:28:18
- LED芯片是半导体发光器件的核心部件,其不同JS28F128J3D75的结构设计与实现对半导体器件的发光效率和使用寿命有极大的影响。目前,CIaN基LED芯片的结构主要有正装结构、倒装结构和垂直...[全文]
- 典型外延技术2016/11/4 20:40:08 2016/11/4 20:40:08
- 实现半导体材料外延的技术主要包括:气相外H9DA4VH4JJAMCR-4EM延(VPE,ⅥporPhaseEpitaxy),液相外延(LPE,ⅡqLlidPhaseEpitaxy),固相外延(s...[全文]
- 荧光粉转换白光发光二极管 2016/11/2 22:03:39 2016/11/2 22:03:39
- 利用GaN基LED激发荧光粉实现白光主要有两种方式,一种是利用蓝光LED(波长450~4ωnm)激发黄色荧光粉,LM3404HVMA荧光粉受激发发射的黄光与LED的蓝光混合成白光,如图⒋刀所示。...[全文]
- 寿命与温度的关系2016/11/2 21:59:46 2016/11/2 21:59:46
- 各半导体材料层及表面均存在缺陷,结温的升高加速了缺陷的繁衍。当缺陷LM3401MM进入有源区后将产生非辐射复合中心,造成输出光功率的下降,一般定义当光功率下降至初始值的70%对应的工作时间为LE...[全文]
- LED结温与热阻2016/11/2 21:53:45 2016/11/2 21:53:45
- LED的结温在非辐射复合产生的晶格振动、光子吸收、汤姆逊效应的生热及由半导体材料体电阻、LM2904VQPWRQ1金属-半导体欧姆接触电阻、封装材料电阻等产生的焦耳热...[全文]
- 半导体材料可形成良好的n型和p型掺杂2016/10/31 20:39:24 2016/10/31 20:39:24
- 半导体材料可形成良好的n型和p型掺杂,具备高的n型和p型电导率。AD9746BCPZ为制备pn结,需要半导体材料可形成p和n两种导电类型;为了提高载流子的注入效率和降低LED的串联电阻,需要n型...[全文]
- pn结的形成 2016/10/31 20:17:48 2016/10/31 20:17:48
- 在一块半导体材料中,如果一部分是n型区,另一部分是p型区,在两者的交界面处就形成pn结,如图3-21所示。制备pn结一般有扩散、离子注入和外延生长等方法。AD8609ARUZ在传统的Si半导体工...[全文]
- 范德瓦尔斯结合(范德瓦尔斯键)2016/10/30 17:34:12 2016/10/30 17:34:12
- 范德瓦尔斯结合(范德瓦尔斯键)对于具有稳定结构的原子(如有满壳层结构的惰性元素)之间或价电子已用于形成共价键的饱和分子之间结合成晶体时,M63029FP原来原子的电子组态不能发生很...[全文]
- 晶面指数和晶向指数 2016/10/30 17:05:37 2016/10/30 17:05:37
- 通过晶格中任意两个格点连一条直线就得到一个晶列。彼此平行的晶列构成一晶列族。M59DR008E120ZB6晶列的取向称为晶向。描写晶向的一组数称为晶向指数(或晶列指数),如图3-3所示。晶向指数...[全文]
- 颜色匹配实验原理2016/10/28 21:18:30 2016/10/28 21:18:30
- 源s4经过滤色片Fc和准直镜L4使平行光束投射到白屏Ws下部。通过小孔光阑P可以同时看到由黑屏BS分隔开的上、下两部分视场。MAX13081ECSA调节R,G,B三种色光的强度,使...[全文]
- 发展与创新 2016/10/28 21:06:29 2016/10/28 21:06:29
- 半导体照明作为一个新的技术及产业,不仅涉及基础材料和芯片技术,还涉及光、电、热、M24512-RMN6TP化学和装备等领域,是典型的多学科交叉融合的复杂系统I程。此外,它还具有基础研究、应用研究...[全文]
- 半导体照明技术学科跨度大、技术与应用更新快2016/10/28 21:02:02 2016/10/28 21:02:02
- 我国政府高度重视半导体照明技术创新与产业发展,出台了一系列相关政策和计划,M24256-BRMN6TP支持半导体照明产业的发展。半导体照明己成为我国重点发展的战略性新兴产业之一,迎来了新的发展机...[全文]
- 半导体照明技术正处于快速发展时期2016/10/28 20:59:23 2016/10/28 20:59:23
- 半导体照明技术正处于快速发K9LBG08U0M-PCB0展时期,就LED的发光效率来看,⒛14年商用的功率型自光LED发光效率己经超过1601m/W,每年的光效提升量为10~2011nW,预计⒛...[全文]
- 照明的经济核算2016/10/27 20:38:29 2016/10/27 20:38:29
- 一个理想的照明系统,不仅要有良好的照明效果,还要有合理的初始投资,更要有合乎投资效益的运行和维护成本。初次设各投资包括光源、镇流器、灯具、控制系统以及安装、投资利息等。运行成本包括照明系统的能耗...[全文]
- 用钨丝替代碳丝完成了现代自炽灯的基本形式2016/10/27 20:19:14 2016/10/27 20:19:14
- 油脂类光源的效率低下、污染环KBC23S3D43R境,最重要的是使用极其不方便。为解决上述问题,一批发明家对照明光源进行了不懈的探索。爱迪生(ThomasAlvaEdson)是白炽灯最成功的发明...[全文]
- 建立行业人力资源需求预测和就业状况定期发布制度2016/10/27 20:03:54 2016/10/27 20:03:54
- 今年5月,国务院下发了《关于加快发展现代职业教育的决定》,《决定》指出,行业组织要履行好发布行业人才需求、推进校企合作、参与指导教育教学、JAF00-06457-0117开展质量评价等职责,建立...[全文]
热门点击
IC型号推荐
- LFXP3C-3T144I
- LFXP3C3TN100C
- LFXP3C-3TN100C
- LFXP3C-3TN100I
- LFXP3C-3TN144C
- LFXP3C-3TN144I
- LFXP3C-4QN208C-3I
- LFXP3C-4T144C
- LFXP3C-4TN100C
- LFXP3C-4TN100C-3I
- lfxp3c-4tn144c
- LFXP3C-4TN144C-3I
- LFXP3C-5QN208C
- LFXP3C-5QN208C-4I
- LFXP3C-5TN100C
- LFXP3C-5TN144C
- LFXP3C-5TN144C-4I
- LFXP3E-3QN208C
- LFXP3E-3T144C
- LFXP3E-3TN100C
- LFXP3E-3TN100I
- LFXP3E-3TN144C
- LFXP3E-4Q208C-3I
- LFXP3E-4TN100C-3I
- lfxp3e-4tn144c-3i
- LFXP3E-4TN144C-3TN144I
- lfxp3e-5tn100c-4i
- LFXP6C
- LFXP6C-3F256C
- LFXP6C-3F256I
公网安备44030402000607
