- 对流烘箱2015/10/31 19:21:24 2015/10/31 19:21:24
- 对流烘箱是非自动化生产线的主要烘焙设备（见图8.34）。它是一个在隔热封闭环境中的不锈钢反应室。环绕反应室的管道提供氮气或空气，EL5166IWZ-T7气体茌被导入反应室前先经过一个加热器加热。...[全文]
- 晶圆涂底胶2015/10/31 19:06:38 2015/10/31 19:06:38
- 除了脱水烘焙外，EL1883IS晶圆还可以通过涂化学底胶来保证它能和光刻胶黏结得很好。涂胶时，所选择的底胶有很好的吸附表面并且能够为正式涂胶提供一个平滑的表面。在半导体光刻工艺中，底胶的作用和这...[全文]
- 分辨率2015/10/30 22:12:19 2015/10/30 22:12:19
- 在光刻胶层能够产生的最小图形或其间距通常被作为对光刻胶分辨率（resolutioncapability）的参考，，AD9779BSVZ在晶圆上最关键的器件和电路的尺寸(CD)是图形化工艺的目标。...[全文]
- 氧化杂质2015/10/28 21:06:44 2015/10/28 21:06:44
- 氧化杂质：特定的杂质，特别是氯K4X1G323PC-8GDP化氢(HCl)中的氯，被包含在氧化环境中（见7.4节）。这些杂质对生长率有影响。在有氯化氢的情况下，生长率呵提高1%到5%引。...[全文]
- 表面绝缘体2015/10/28 20:42:39 2015/10/28 20:42:39
- 二氧化硅被归类为绝缘材料，K4H561638F-TCB3这意味着在正常情况下它不导电。当它用于电路或器件时，它们被称为绝缘体(insulator)，作为绝缘体是二氧化硅扮演的一个重要角色。图7....[全文]
- 流动的水通过稀释的机械原理将晶圆表面水溶性的化学物质除去2015/10/27 21:00:05 2015/10/27 21:00:05
- 喷洒式冲洗：RT9173BGS流动的水通过稀释的机械原理将晶圆表面水溶性的化学物质除去。最表层的化学物质溶解于水并被水流携带走。这种动作在一次一次不间断地进行。较快的水流速可以更快地将化学物质溶...[全文]
- 氧化层的去除2015/10/27 20:39:48 2015/10/27 20:39:48
- 我们已经提及了硅很容易氧化。氧化反应可以在空气中进行，或者是在有氧存在的加热的化学品清洗池中进行。通常在清洗池中生成的氧化物，RT9167-18PB尽管很薄(100~200A)但其厚度足以阻挡晶...[全文]
- 有几种技术可以同时满足更洁净的化学品2015/10/26 22:18:41 2015/10/26 22:18:41
- 有几种技术可以同时满足更洁净的化学品、更严格的工艺控制和较低的费用。其中一HPA01220DBZR种是“点使用”(Point-Of-Use，POU)化学品混合器（BCDS的另一版本）。这种装置连...[全文]
- 像SEMI这样的商业组织为整个行业建立r洁净度的规范2015/10/26 22:17:29 2015/10/26 22:17:29
- 在制造工厂中，用于HPA01217DRZR刻蚀和清洗晶圆和设备的酸、碱、溶剂必须是最高纯度的。涉及的污染物有金属离子微粒和其他化学品。与水不同的是，工艺化学品是采购来的，直接运输到L厂后使用。工...[全文]
- 眼睛也是产生液态微粒的主要来源2015/10/26 22:13:02 2015/10/26 22:13:02
- 身体的每一部分都要被罩住。头部要HN1664CG用内帽来罩住头发，外面再套一层外罩，外罩的设计与脸部相适合，并带有披肩，以确保用工作服盖住披肩以压住头罩。面部用面罩来罩住，面罩有各种式样，从手术...[全文]
- 具有元件符号的电路图例2015/10/25 17:25:50 2015/10/25 17:25:50
- 第—步是电路版图设计，SPW35N60C3它是半导体集成电路所独有的。电路的工作运行与很多因素相关，包括材料电阻率，材料物理特性和元件的物理尺寸。另外的因素是各个元件之间的相对定位关系。所有这些...[全文]
- 载流子迁移率2015/10/23 20:07:41 2015/10/23 20:07:41
- 前面曾提到过，UA79M05CKVURG3在半导体材料中移动一个电子比空穴要容易。在电路中，我们对载流子（空穴和电子）移动所需能量和其移动的速度都感兴趣。移动的速度称为载流子迁移率(Carrie...[全文]
- 铝连线在几个方面显现出局性2015/10/22 20:59:30 2015/10/22 20:59:30
- 产业发展到成熟时期，IRFU220NPBF就会将更多传统上的重点放在生产和市场问题上一早期的盈利策略是走发明的途径，也就是总要把最新和最先进的芯片抢先推向市场，以获得足够的可支付研发和设计费用的...[全文]
- 半导体产业协会的发展蓝图2015/10/22 20:47:21 2015/10/22 20:47:21
- 主要的集成电路参数是相互关联的．摩尔定律预言了未来元件的密度，IRFR024NTR由此引发了集成度水平（元件密度）、芯片尺寸、缺陷密度（尺寸）和所要求的内部连线数量水平的计算。半导体产、地协会和...[全文]
- 芯片和晶圆尺寸的增大2015/10/22 20:40:27 2015/10/22 20:40:27
- 芯片密度从小规模集成电路(SSI)发展到甚大规模集成电路(ULSI)的进步推动_r更大尺寸芯片的开发。IRFPE50PBF分立器件和SSI芯片边长平均约为IOOmil（0.1英寸），而ULSI芯...[全文]
- 防止地线焊接不牢2015/10/21 19:50:28 2015/10/21 19:50:28
- 电缆头制作完成后，应立即HIN202EIBNZ-T与设备连接好，不得乱放，以防损伤成品。在电缆头附近用火时，应注意将屯缆头保护好，防止将电缆头烧坏或烧伤。电头系塑料制品，应注意不受机械损伤。电缆...[全文]
- 电缆各支持点间的距离2015/10/21 19:39:46 2015/10/21 19:39:46
- 采用机械敷设时，应在牵HCPL2601S引头或钢丝网套与牵引钢缆之间装设防捻器，机械敷设电缆时的最大牵引强度应符合规定。机械敷设电缆的速度不宜超过15m/min，在较复杂路径上敷设时其逮度应适当...[全文]
- 导线连接操作要点2015/10/21 19:28:32 2015/10/21 19:28:32
- 导线连接操作要点：①用电工刀切削绝缘层时，HCPL-0723先用刀偏削，再转割，不得损伤线芯。②导线截面积为6mm2及以下的绝缘导线，可使用扒皮钳子直接扒掉绝缘层。...[全文]
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