前面曾提到过， UA79M05CKVURG3在半导体材料中移动一个电子比空穴要容易。在电路中，我们对载流子（空穴和电子）移动所需能量和其移动的速度都感兴趣。移动的速度称为载流子迁移率( Carrier Mobility)，空穴比电子迁移率低。在为电路选择特定半导体材料时，这是个非常值得考虑的重要因素。

   锗和硅是两种重要的半导俸，在固态器件时代之初，第一个晶体管是由锗制造的。但是锗在工艺和器件性能上有问题。它的937℃熔点限制了高温工艺，更重要的是，它表面缺少自然发生的氧化物，从而容易漏电。

   硅与二：氧化硅平面f艺的发展解决r集成电路的漏电问题，使得电路表面轮廓更平坦并日．硅的1415℃的熔点允许更高温的T艺，因此，如今世界}：超过r 90%的生产用品圆材料都是硅.