图3-13(b)是在SiH4流量和V/III比固定的情况下,生长温度对材料中电子浓度的影响,随生长温度的增加,si的并入效率增加,电子浓度相应的增加。AAT3112IVN-4.5-T1因此,为了提高⒐的掺杂效率,除了增加SiH4流量外,可以采用提高生长温度的方法。

   lA1Ga1005Ino5P限制层的p型掺杂源通常选用DMzn或Cp2Mg。与n型(A廴Ga1Ι)05In05P相比,p型(Al艿G幻005InO sP不容易获得高的空穴浓度,特别是随着材料中Al组分的增加,获得高的空穴浓度变得更加困难。图3-14给出了以DMZn为掺杂源,3种Al组分材料的

空穴浓度与气相DMzn浓度的关系冂。GaInP的最大空穴浓度可达2×101:cm^3,然而,随着A1组分的增加空穴浓度急剧下降。p型(A1Gah)05InO sP不易进行有效的受主掺杂的主要 原因为:第一,寄生氧的杂质补偿。随Al组分的增加,材料的寄生氧掺杂浓度增加,这些氧会产生深能级,对掺入的浅能级受主杂质进行补偿,虽然可以提高生长温度抑制材料中的氧浓度,但高温不利于挥发性Zn杂质的并入,因此p型(AlxGa1~)o5ho5P的生长温度窗口很窄。第二,随Al组分的增加,受主杂质的电离能增加。第三,生长过程中H原子对受主杂质的钝化。在Ⅲ/V族半导体的钝化作用非常明显。通过适当的高温退火可 图3-14 AlGaInP的空穴浓度与lDMzn]/[III]的关系

中,特别是AlGaInP这样的宽带隙材料,H消除H钝化的影响。