P电极做好后,要进行背面减薄抛光工艺。由于AlC.aInP LED与GaN LED的材料性质不同,BAM04-24153-0502从背面开始的工艺设备有区别。首先Ga`s材料很易碎,因此其磨片减薄需要采用磨料,而GaN材料用砂轮减薄,因此设备不同。磨片设备主要有英国logitcch公司的设备(如PM50)和韩国NTS公司的设备。英国logitcch公司设备的工作原理是通过刚玉粉等磨料把半导体晶圆片减薄到一定厚度(如从350um减薄到150um),然后再用化学抛光液进行抛光。PM50设备有3个磨头可同时研磨9片晶片、超精旋转轴、可半自动研磨抛光、带有数字式显示的无级调速、可自动停止工作的定时器、可配备研磨剂自动混料及送料的滴料器。

   韩国NTs株式会社用于加工GaAs芯片的超高精度研磨设备是便于规模化生产型的,工作原理也是通过刚玉粉等磨料把半导体晶圆片减薄到一定厚度,再通过化学液进行初抛光和精细抛光。如型号Nano surface SL510T-CL设备带有粘片的功能,可同时加工10片,其新的型号设备可以同时加工⒛片。减薄工艺:首先要对晶片进行厚度测量记录,然后进行粘片,即把晶片通过蜡粘贴在磨片机的托盘上,粘贴后在测量仪上测量此时晶片表面各点的高度,根据目标厚度,估算要磨掉的厚度值,并开始减薄和抛光工艺操作,测量达到目标厚度时,取下晶片用去腊液进行去腊清洗,然后再进行常规晶片去油清洗。