Tio2/S⒑2DBR膜系还能被用作具有反射B2B-PH-K-S作用的电流阻挡层,用以提高光提取效率(在,1小结己经提到过);还能与Ag、Al等高反射金属结合组成复合反射镜。如Nall~Ming Ⅱn等阝l]模拟和制备了具有Sio2/Tio2DBR+Ag镜背镀层的GaN基LED。垂直入射的情况下,3对SiO2/Ti02DBR+Ag镜背镀层可以将反射率为96%Ag膜提高到99.l%。而且,复合背镀层的反射率受入射波长和入射角度的影响很小。350mA下,1r111n×lmm尺寸芯片,没有反射镜LED、Al反射镜LED、川+3DBR反射镜LED、Ag反射镜、Ag+3DBR反射镜DBR的光功率分别为122mW、138mW、153mW、162mW。

   上述实例均是在芯片制造端的DBR制作,但是GaN基LED在外延上也有类似A⒗aInP四元系红黄光LED一样的DBR膜系。如出现过的DBR结构有:①GaN/AlN DBR和S⒑2/Tio2DBR膜系共同组成G瘀基谐振腔LEDls’l;②A⒑aN/AlGaN DBR结构紫外高反射镜LEDu];③AlInN/GaN DBR器件㈣。但是在GaN基LEp产业化生产中,权衡其成本、产量和得到的性能后很少在实际生产中在外延层中生长半导体DBR结构,并且因为⒍Ⅸ常用的蓝宝石衬底在蓝光波段是透明的特性,一般采用在蓝宝石衬底背面做DBR结构,良率、产能、成本、对光提取效率的效果等可能被平衡到最佳值。