氮化硅在半导体制程上的生长方式,象氧化硅一样,有炉管批和单片化学气相沉积(CVD)法, S912XEP100W1MALR主要应用是作刻蚀的硬式幕罩或化学机械研磨(CMP)和干刻蚀的停止层,如浅沟槽隔离(STI)刻蚀幕罩,栅极多晶硅(POI'Y)刻蚀幕罩,先进制程NMOS应力记忆技术(SMT)幕罩等。不同的应用,就有不同的去除方法,主要考虑临近膜层的刻蚀选择比。

   氮化硅磷酸湿法刻蚀

   氮化硅湿法去除的普遍方法是热磷酸溶液。85%的浓磷酸混人少量水,温度控制在150~170℃,对炉管氮化硅的刻蚀率大约50A/min;而对CVD氮化硅会更高,如果制程有回火步骤,则刻蚀率会受很大影响,应依据不同的条件测定实际的结果。为了提高对氧化硅的选择比,放人氮的硅晶片,溶入一定的硅,或使用120~150℃的低温磷酸;反应的主体是氮化硅和水,磷酸在此反应中仅作为催化剂,氮化硅在干刻蚀中作为硬式幕罩,一旦刻蚀完成,就要去除这层幕罩。刻蚀时间的制定是根据刻蚀率,先计算一个理论值,又囚为氮化硅膜层沉积受生长方式和器件结构的影响,不同晶片或同一晶片不同部位都会有厚薄不均现象,为了彻底清除,以免残留影响后续制程,一般会再加人过刻蚀时间,两方面的时间和才是氮化硅去除时间。过刻蚀时间的确定需要设计几个时间递增的实验点,包括氮化硅少量残留、没有残留、过刻蚀,最终取“过刻蚀”的时间作为制程时间,有时残留物确认还需要光学显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)的帮助。