- 生产阶段的调试工作大致有以下内容2016/9/1 19:49:41 2016/9/1 19:49:41
- 生产阶段的调试工作大致有以下内容:①通电前的外观和内部连接检查工作:一般在产品通电之前应先检查外观有没有异常,F0002D135如电源连接是否正确、牢靠、螺母有否松动、表面有否划伤...[全文]
- 电路性质不同的地回路线的布设2016/8/28 17:22:06 2016/8/28 17:22:06
- 在布线时,一般对地线做如下处理。①采用短而粗的接地线,增大地线截面积,以减小地阻抗。在高频时,由于集肤效应,AD1139J地线中的高频电流集中在地线表面流过,囚此,不但要求地线的横...[全文]
- 间断加热拆焊法2016/8/27 20:26:58 2016/8/27 20:26:58
- 在拆焊耐热性差的元器件时,为了避免因过热雨f损坏元器件,不能长时间连续加热该元器件,BA7653AF-E2应该采用问隔加热法进行拆焊。(1)闸断加热拆焊某一焊点。先除去焊点}的焊锡...[全文]
- 印制连接的特点2016/8/25 19:48:30 2016/8/25 19:48:30
- 印制电路板具有以下特点。(1)印制电路板可以实现电路中各个元器件的电气连接,代替复杂的布线,减少了G0600A0R传统方式下的连接工作量,降低了线路的差错率,减少了连接时间,简化了...[全文]
- 对合与加压2016/8/23 20:44:48 2016/8/23 20:44:48
- 涂胶晾置后,将两基体面对合并基本找准位置。适当施压使两接合面来回错动几次,以排出GAL16V8B-25QP空气并使胶层均匀,同时测量胶层的厚度,使多余的黏合剂从边缘挤出,最后精确找正定位。...[全文]
- 传声器的检测2016/8/21 16:40:48 2016/8/21 16:40:48
- (1)将万用表置于R×1Ω或R×10Ω挡,用表笔接传声器两引出端,同时对传声器吹气,并观察指针的摆动。KBJ10005指针摆动越大说明传声器越灵敏,若指针没有摆动,则表明传声器己损坏。...[全文]
- 常见表面组装元器件 2016/8/20 16:22:36 2016/8/20 16:22:36
- 表面组装电阻器表面组装电阻器按封装外形,可分为片状和圆柱状两种;按制造I艺可分为厚膜型(RN型)和薄膜型(RK型)两大类。(l)矩形片式电阻。外形为DRV8841PW...[全文]
- 二极管的分类2016/8/19 21:56:01 2016/8/19 21:56:01
- 二极管的种类繁多,按采用的材料的不同可分为硅工极管、锗∷极管、砷工极ADM485JRZ管等;按结构的不同叉可分为点接触和面接触工极管;按用途分为整流、检波、稳压、阻尼、开关、发光和光敏二极管等;...[全文]
- 焊接材料 2016/8/17 19:53:57 2016/8/17 19:53:57
- 焊接即金属与金属建立一种牢固的电连接形式。电子产AFB0412HHB品的焊接材料包括焊料、焊剂和阻焊剂。焊料是用来连接两种或多种金属表面,同时在被连接金属的表面之间起冶金学桥梁作用...[全文]
- 可靠性的概念2016/8/14 18:25:13 2016/8/14 18:25:13
- 可靠性是指产品在规定的时间内和规定的条件下,完成规定功能的能力。在这里DAC0800LCMX,产品是一个非限定性的术语,既可以是一个装各系统,也可以是组成系统中的某个部件乃至元器件等。可靠性是产...[全文]
- 倒梯形等外形结构2016/8/10 20:58:52 2016/8/10 20:58:52
- 通过改变器件的形状可以减少光的路程。高光提取效率的合适形状包括球形、半球型、JST2N60P去掉顶的椭圆型等。然而这些结构很难实现,并且成本很高阝]。IG・amcs等人提出了一种可...[全文]
- 反射率在其他角度下也表现优秀2016/8/9 20:37:32 2016/8/9 20:37:32
- 在介质DBR材料当中,△02/S⒑2DBR膜系因为其折射率差异较大(sio2折射率约为1,46,Tio2折射率约为2.5)而B12P-SHF-1AA常被用作G渊基LED背镀反射层膜系。H,WHu...[全文]
- 高压LED芯片的优点 2016/8/6 15:34:16 2016/8/6 15:34:16
- 相对于传统LED芯片,高压LED芯片在许多情况下可直接用高压驱动,简化了电源匹配,减少了电压转换的能源损失,降低了成本及功耗。K4D261638K-LC50在这种背景下,国际领先的LED供应商,...[全文]
- 小功率芯片2016/8/5 19:48:54 2016/8/5 19:48:54
- 典型的小功率LED芯片尺寸有6×8mi12、7×8mi12、7×9mi12、8×1omi12、8×12mi12、8×15mi12、9×15mi12等尺寸。JA3514-OS-A04目前LED芯片...[全文]
- 测试的芯粒数巨大2016/8/4 22:31:13 2016/8/4 22:31:13
- 由于要求测试的芯粒数巨大,并且生产企业对单台测试设备的产能需求等均要求点测机具有超快的测试速度,这就要求测试机具有很短的运动时间和测试时间,MLV-L20D一般在毫秒(ms)级别,通常点测机每小...[全文]
- 研磨抛光工艺 2016/8/4 21:01:28 2016/8/4 21:01:28
- 目前商业化的GaN基蓝绿光LED的外延衬底材料主要有蓝宝石、硅和碳化硅3种。MLV-030D硅因其较活泼的化学性质,因此作为GaN的外延衬底常在芯片制造过程中用化学腐蚀的方法被去除,而将LED制...[全文]
- 刻蚀工艺 2016/8/4 20:36:08 2016/8/4 20:36:08
- 刻蚀是用化学或者物理方法将晶片表面不需要部分去除的工艺过程,其基本目的是在完成光刻工艺的晶片上正确的复制掩膜图形。MC13212刻蚀工艺主要有干法刻蚀和湿法刻蚀两种。干法刻蚀具有良好的侧壁剖面,...[全文]
- 曝光方式上有接触式曝光和非接触式曝光2016/8/4 20:19:51 2016/8/4 20:19:51
- 曝光时,在掩膜板的辅助下,使用特定波长的光对覆盖在晶片上的光刻胶进行选择性照射。MC13201FC光刻胶中的感光剂会发生光化学反应,从而使正胶与负胶被照射区域化学成分发生变化,这些化学成分发生变...[全文]
- 电子阻挡层对空穴注入的影响 2016/8/1 22:44:02 2016/8/1 22:44:02
- 如图⒉25所示,L7805CV电子阻挡层的价带势垒高度高于少G扒层,阻碍了空穴从p型层注入到多量子阱区;此外,由于A1GaN层与p-GaN层之间存在着自发极化电场差以及界面处的晶格不匹配产生的压...[全文]
- 高分辨率的图像要求样品尽可能的薄2016/7/31 16:17:26 2016/7/31 16:17:26
- 不同的成像方法是通过计算样品射出的电子束的波函数来得到与样品相关的信息。根ADS1232据前面的等式,可以推出观察到的图像强度依赖于电子波的幅度,也依赖于电子波的相位。虽然在电子波...[全文]
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