- 富上电机的R系列IPM2016/11/25 21:37:06 2016/11/25 21:37:06
- 功率半导体器件通常要求功率损失尽量小且在实际应用中不被击穿,器件的I作温度对此影响很大c当工作温度迅速上升时,传统的IPM可被击穿,这种击穿发生是因为提供温度保护的温控器安装在IGBT芯片的绝缘...[全文]
- PM的特点2016/11/25 21:19:00 2016/11/25 21:19:00
- 所谓IPM就是把功率器件与传感器、检测和PA0057A制电路、保护电路及故障自诊断电路等集成为一体并具有功率输出能力的新型器件,由于这类器件可代替人工完成复杂的功率控制,所以它被赋予智能的特征。...[全文]
- 半桥、高端开关和低端开关型IGBT模块2016/11/25 21:16:33 2016/11/25 21:16:33
- 半桥、高端开关和低端开关型IGBT模块GA系列半桥、高端开P6SMB200A关和低端开关型IGBT模块电气参数为:饯Es∫c=50~400A,σI№=z~sOOⅤ(RMs),其性能...[全文]
- IR系列IGBT模块2016/11/25 21:12:17 2016/11/25 21:12:17
- 国际整流器公司(IR)推出全新MTP隔离式开关模块系列,专为大电流工业电源而设计,P3S56D40ETP新模块系列的额定电压为ω0Ⅴ和⒓00Ⅴ,把高速⒑BT和优化的二极管结合在同一封装内,可取代...[全文]
- 安全工作区特性2016/11/25 21:10:47 2016/11/25 21:10:47
- 安全工作区特性。少子器P3004ND5G件在大电流、高电压开关状态下工作时,由于电流的不均匀分布,当超过安全工作极限时,经常造成器件损坏。电流分布的方式与d氵/d莎有关,因此安全工作区经常被分为...[全文]
- 短路电流特性2016/11/25 21:05:02 2016/11/25 21:05:02
- (1)短路电流特性。IGBT的短路电流可达额定电流10倍以上,短路电流值由IGBT的栅极电压和跨导来决定。P2804BVG正确地控制⒑BT的短路电流是⒑-BT可靠工作的必要保障。(...[全文]
- TC782A应用电路2016/11/24 20:51:24 2016/11/24 20:51:24
- TC782A电路的两种应用MAX3222CDW实例如图3-⒛所示,图3-⒛(a)是小功率双向晶闸管触发电路;图3-29(b)是反并联或桥式晶闸管触发电路。TC787/TC788集成...[全文]
- 电流上升率、电压上升率的抑制2016/11/24 20:32:26 2016/11/24 20:32:26
- 1)电流上升率山/d莎的抑制晶间管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域,局部电流密度很大,然MAX3221IDB后以0.1mll/us的扩展速度将电流扩展到整个阴极面。若...[全文]
- 测量晶闸管的直流转折电压2016/11/23 20:47:48 2016/11/23 20:47:48
- 测量晶闸管的直流转折电压V:。,反向击穿电压〃:R等参数测晶闸管正向特性时,S6500P阳极A接电源正极,阴极Κ接电源负极,仅有很小的漏电流,由于门极未加触发信号,fGT=0,故晶闸管关断,对应...[全文]
- 晶闸管的工作条件2016/11/22 20:29:41 2016/11/22 20:29:41
- (1)当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门H5TC8G63AMR-PBA极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。(2)当晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导...[全文]
- 测量光电耦合器的电流传输比(CTR)及饱和压降Vces2016/11/22 19:54:31 2016/11/22 19:54:31
- 采用双表法不仅可以检查光电耦合器进行“电光一电”转换工作是否正常,还能进H5PS1G83KFR-Y5C一步测量出电流传输比CTR及接收管饱和压降%Es等项参数。电流传输比(CTR...[全文]
- 七段字符显示器2016/11/21 21:38:53 2016/11/21 21:38:53
- 七段字符显示器。利用发KB2785YW光二极管的光电效应,可以制成简单的显示器件,最典型的就是七段字符显示器,也叫作七段码显示器,如图2-14(a)所示。通常使用的七段字符显示器,是由8个条状发...[全文]
- 铝电解电容(型号为CD)2016/11/21 21:11:38 2016/11/21 21:11:38
- 铝电解电容(型号为CD)。铝电解电容一般是用铝箔和浸有电解液的纤维带交叠卷成圆柱形后,封装在铝壳内。AFD51-18-30PX-6116大容量的铝电解电容的外壳顶端通常有“十”字形压痕,其作用是...[全文]
- 电解电容2016/11/21 21:09:38 2016/11/21 21:09:38
- 电解电容。电解电容以金属氧化膜作为介质,以金属和电解质作为电容的两极,金属为阳极,电解质为阴极。AFD51-18-30PW-6116使用电解电容必须注意极性,由于介质单向极化的性质,它不能用于交...[全文]
- 逆变电路2016/11/20 15:08:16 2016/11/20 15:08:16
- 单相桥式并联逆变电路。并联逆变MAX1111CEE器的基本电路如图1-5所示,在ⅤD7~ⅤD10组成了一个桥式逆变电路,Ld为直流滤波电感,C为补偿电容,由L、r、c组成一个并联谐振电路。...[全文]
- 半导体照明产业是个复杂的系统2016/11/18 21:55:13 2016/11/18 21:55:13
- 半导体照明产业是个复杂的系统,从LED外延芯片到最终的应用灯具,需要经过HMC199AMS8ETR材料外延一芯片制作一管芯封装一光源制作一灯具设计与装配的一系列流程,还涉及配套材料、配套电源、工...[全文]
- 照明的国际标准主要由CⅡ颁布2016/11/18 21:43:42 2016/11/18 21:43:42
- 建筑照明设计国家标准或技术规范由建设部标准定额司归口管理,由国家HMC189AMS8ETR质量技术监督局和建设部联合发布;建筑照明设计方面的行业标准由建设部标准定额研究所归口管理、中国工程建设标...[全文]
- 一批发明家对照明光源进行了不懈的探索2016/11/18 21:20:31 2016/11/18 21:20:31
- 油脂类光源的效率低下、污染环境,最重要HMC144LC4的是使用极其不方便。为解决上述问题,一批发明家对照明光源进行了不懈的探索。爱迪生(ThomasAlvaEdson)是白炽灯最成功的发明家,...[全文]
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