在介质DBR材料当中,△02/S⒑2DBR膜系因为其折射率差异较大(sio2折射率约为1,46,Tio2折射率约为2.5)而B12P-SHF-1AA常被用作G渊基LED背镀反射层膜系。H,W Huang等人制备了具有p-⒍Ⅸ表面粗化和芯片下表面△α/S⒑2DBR结构增强光提取的G焖基功率型芯片。DBR的设计和LED出光都是在笱细m波段下设计的[如图5-47(a)所示]。3501nA下,lmm×1mm尺寸芯片在To-can的封装形式下具有背镀DBR和表面粗化结构的LED比没有粗化和背镀DBR结构的LED亮度高67%[如图5-锊(b)所示]。而且,通过辐射场型测试[如图5-狎(c)所示]发现,具有DBR和表面粗化结构的LED垂直方向上的光显著增强。

   图5-钾 (a)以为弱5nm中心波长的TlO2/sio2DBR的透射光谱;

   (b)有背镀DBR和表面粗化结构的LED和没有背镀DBR和表面粗化结构的LED的zi J曲线;(c)有背镀DBR和表面粗化结构的LED和没有背镀DBR和表面粗化结构的LED的辐射场型△02/sio2DBR膜系也被用来制作倒装芯片的反射层,甚至被用来制作具有DBR结构的MESA侧边,用于进一步提高光提取效率。KH,Baik报道lsOl了用Tio2/s⒑2DBR结构覆盖MESA侧边的GaN基倒装芯片,翎Onm下,5对△α/Si02DBR在垂直方向上反射率为99.1%,且反射率在其他角度下也表现优秀。与对照组LED相比,用DBR覆盖MEsA侧壁的LED在封装前、后亮度分别高32%和12%。亮度的提升是因为侧壁DBR起到侧向光波导的作用,使得光最终从蓝宝石中出射。