刻蚀是用化学或者物理方法将晶片表面不需要部分去除的工艺过程,其基本目的是在完成光刻工艺的晶片上正确的复制掩膜图形。MC13212刻蚀工艺主要有干法刻蚀和湿法刻蚀两种。干法刻蚀具有良好的侧壁剖面,呈现好的各向异性,具有良好的选择比、均匀性、稳定性,可控精度高。湿法刻蚀通常具有成本低廉、工艺过程短、方便工业化生产等特点。LED芯片制造过程中涉及的刻蚀中,干法刻蚀主要用于台面(MEsA)的刻蚀、钝化膜层的刻蚀等,湿法刻蚀主要有ITo的刻蚀、钝化膜的刻蚀、电流阻挡层(CBL)的刻蚀等。

   MEsA刻蚀通常用的是感应耦合等离子体刻蚀,其刻蚀过程是物理过程与化学过程的综合作用过程。物理过程是离子对晶片表面的轰击,对化学作用有明显的辅助作用。化学作用一方面包含刻蚀气体通过电感耦合的方式辉光放电,产生活性游离基、亚稳态粒子、原子等,以及它们之间的相互作用;另一方面包含活性粒子与基片固体表面的相互作用。通常用C12/BC13作为GaN材料的刻蚀气体,在高能电磁场的作用下,C12分解为Cl、Cl`Cl;BC13分解为BCl、Bα2曰、Cl、Bα`Bα2`BC13`B+。