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促进CAD/EDA技术的推广使用2016/7/30 10:47:15
2016/7/30 10:47:15
节省设计费用。APMS-10GRCF搭试验电路费用高、效率低。采用计算机进行模拟验证就可以节省研制费用。特别要指出的是，伴随着计算机的迅速发展和普及，微机级CAD/EDA软件水平的不断提高，这就...[全文]
在AlGaInP的红光LED的MOCVD外延中磷烷和砷烷用作V族源2016/7/29 21:24:30
2016/7/29 21:24:30
表1-2给出了LED的MOCVD外延中常用氢化物源的物理参数,其中Ⅳ族的⒏H4一般经氢气稀释后做为n型掺杂源。在GaN基LED系列材料的MOCVD生长中,NH3是唯一V族氢化物源。...[全文]
近耦合喷淋反应室2016/7/28 22:04:21
2016/7/28 22:04:21
近耦合喷淋反应室(C1oseCoup1edshowe血ead,CCs):图⒈9为德国爱思强(AIXTRON)公司(原英国剑桥的Thomasswan公司,后被AIXTRON公司收购)的立式近耦合喷...[全文]
表示使用四舍五入法取整;2016/7/22 20:47:35
2016/7/22 20:47:35
表示使用四舍五入法取整;模拟信I0861505PSC号从10VIN输入时,上式选择10V,否则选择⒛V。例如,AD16Tz1工作在⒓位模式:从10VIN引脚输入-4,999V电压,...[全文]
单片机显示、键盘系统 2016/7/20 20:29:21
2016/7/20 20:29:21
为了实现人机交互,大多数的单片机应用系统,都要配置输入外设和输出外设。常用的输F8015J入外设有键盘、BCD码拨盘等;常用的输出外设有LED数码管、LCD显示器、打印机等。显示器...[全文]
单片机处理中断的特有过程2016/7/16 19:16:07
2016/7/16 19:16:07
本章首先介绍了中断的概念以及一般的中断处理过程,详细介绍了单片机处理中断的特有过程,RHRG75120包括单片机如何跳转到相应的中断服务子程序,单片机的中断优先级和中断嵌套,并介绍了与单片机中断...[全文]
中断允许控制2016/7/15 20:49:31
2016/7/15 20:49:31
从图7.3可以看出,每个中断源都有一个独立的中断控制开关,之后还有一个全局的中断控制开关。EM78P259N-Q这些开关分别由各个中断源的中断使能控制位和全局中断使能控制位来控制。只有这些中断使...[全文]
C51函数参数传递和返回2016/7/14 20:13:25
2016/7/14 20:13:25
在C51函数和汇编函数相互调用时经常要进行参数传递,常用的参数传递方式有寄存器传EPL2014-301MLC递和固定存储器位置传递两种方式。寄存器参数传递:寄存器参数传递指参数通过...[全文]
KeiI C51uVision集成开发环境简介2016/7/5 20:39:40
2016/7/5 20:39:40
KeiIC51uVision集成开发环境简介KCiluⅥsionIDE是德国Keil公司开发的基于Windows平台的嵌入式集成开发环境,包含一个高效的编译器、EB2...[全文]
单片机的发展过程及产品近况2016/7/4 22:21:33
2016/7/4 22:21:33
什么叫单片机?单片机DSEP9-06CR就是在一块硅片上集成了CPU、RAM、ROM、定时/计数器和多种V0口(如并行、串行及A/D变换器等)的一个完整的微机处理系统。...[全文]
非AsCⅡ编码2016/7/4 22:07:55
2016/7/4 22:07:55
英语用128个符号编码就够了,DSSK48-003B但是用来表示其他语言时128个符号是不够的。我国于1980年制定了信息交换7位编码字符集,即国家标准GB1988-80,除了用人民币符号Y代替...[全文]
迁移率模型分类2016/7/2 18:47:46
2016/7/2 18:47:46
为了精确模拟器件特性,AD8054AR中用了较精确的物理模型,包括复合和寿命模型、AD8054AR迁移率模型、BTBT(带与带隧穿模型)、BGN(禁带变窄模型)及一些其他物理模型。...[全文]
两批样品氧化层厚度分布2016/7/1 22:15:36
2016/7/1 22:15:36
说明S公司MOS电容样品测试的最小电容值的波动比H公司MOS电容样品测试的最小电容值的波动要大,其原因可能是S公司的MOs电容样品有较大的泄漏电流。CAP006DG由于泄漏电流较大,当MOs系统...[全文]
影响氧化层电荷的因素很多2016/7/1 21:56:51
2016/7/1 21:56:51
影响氧化层电荷的因素很多。栅氧化CAP003DG后的温度应低于950℃左右,因为栅氧化后工艺温度太高、时间太长会使氧化物陷阱电荷密度增大,使s√siα界面附近s⒑2中氧化物空穴陷阱密度增大。栅氧...[全文]
影响氧化层电荷的因素很多2016/7/1 21:56:51
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影响氧化层电荷的因素很多。栅氧化CAP003DG后的温度应低于950℃左右,因为栅氧化后工艺温度太高、时间太长会使氧化物陷阱电荷密度增大,使s√siα界面附近s⒑2中氧化物空穴陷阱密度增大。栅氧...[全文]
准恒定电压等比例缩小规则2016/6/29 21:06:42
2016/6/29 21:06:42
无论CE理论还是CV理论,都能使集成电路性能得到改善,集成度得到显著提高c但各自H5TQ4G83AFR-PBC都存在由于过低的电压量(CE理论)或过高的电场强度(CV理论)所带来的一系列性能限制...[全文]
电迁移(EM)2016/6/25 22:50:15
2016/6/25 22:50:15
电迁移(EM)。TCV应具有表征最坏情况金属电迁移的结构:①表面平整化;②最坏情况非接触性结构;③导电层间的连通;④衬底接触。...[全文]
污染控制的成功与否与确认污染源是息息相关的2016/6/16 20:57:51
2016/6/16 20:57:51
污染控制的成功与否与确认污染源是息息相关的。许多分析显示机械设备是最大的微粒污染源。OP249GS-REEL到20世纪⒇年代为止,设备引发的微粒升至所有污染源的75%~⒇%,但这并不意味机械设备...[全文]
污染控制的成功与否与确认污染源是息息相关的2016/6/16 20:57:49
2016/6/16 20:57:49
污染控制的成功与否与确认污染源是息息相关的。许多分析显示机械设备是最大的微粒污染源。OP249GS-REEL到20世纪⒇年代为止,设备引发的微粒升至所有污染源的75%~⒇%,但这并不意味机械设备...[全文]
工艺化学品2016/6/16 20:53:52
2016/6/16 20:53:52
在制造工厂中,用于刻蚀和清洗晶圆和设备的酸、碱、溶剂必须是最高纯度的。OP249GP涉及的污染物有金属离子微粒和其他化学品。与水不同的是,工艺化学品是采购来的,直接运输到工厂后使用。工业化学品分...[全文]
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