- 根据产品共模辐射原理2018/2/14 19:55:21 2018/2/14 19:55:21
- 【处理措施】MAX1619MEE根据产品共模辐射原理,解决该产品辐射发射的问题,主要是降低共模辐射,该产品中共模辐射又跟PCB1与PCB2之间的连接器阻抗和PCB1中GND平面与参...[全文]
- 包络失真与混频器的哪些参数有关？2018/2/12 19:29:55 2018/2/12 19:29:55
- 思考题HZIN283T6826010G1，包络失真与混频器的哪些参数有关？2．三极管混频器的增益主要与哪些因素有关？怎样选择？3.5模拟乘法器混频实验...[全文]
- 静态工作点的影响2018/2/12 19:20:28 2018/2/12 19:20:28
- 合理地选择静态工作点，HZICXV8000CB8X0G对振荡器工作的稳定性殁波形好坏有着密切关系。当振荡稳定下来后，振荡器必然工作在非线性区域，可能进入截止区，也可能进入饱和区。当进入饱和区时，...[全文]
- 二次表面镜型2018/2/11 13:56:47 2018/2/11 13:56:47
- 二次表面镜型涂层是一种复合表面,K4S511632D-UC75由表面层和金属基底层组成,表面层在可见光波段具有良好的透明性质且在红外辐射波段吸收率很高c这样的涂层对能量集中在可见光波段的太阳辐射...[全文]
- 物体的发光(即辐射)是要消耗能量的2018/2/11 13:38:48 2018/2/11 13:38:48
- 物体的发光(即辐射)是要消耗能量的。物体发光消耗的能量可以是其自身的能量,也可以是从外界得到的能量。K3RG2G20BM-MGCH由于能量的供给方式不同,可把发光分为如下不同类型[l]:...[全文]
- 一种可以消除刻蚀变差的方法称为剥离工艺2018/2/10 20:29:09 2018/2/10 20:29:09
- 在表面层中的图形尺寸最终是由曝光和刻蚀工艺共同决定的。在工艺中，有钻蚀（光刻胶支撑）的地方是个问题，PCA9534RGVR例如铝刻蚀，尺寸变化的刻蚀成分可能是决定性的因素。一种可以...[全文]
- 目前有很多种多层光刻胶工艺2018/2/10 20:19:23 2018/2/10 20:19:23
- 目前有很多种多层光刻胶工艺。PC817X2NIP0F工艺的选择取决于光刻胶需要打开的图形尺寸和晶圆表面形貌。尽管多层光刻胶工艺增加了额外的工艺步骤，但在某些场合它是唯一能达到规定图形尺寸的方法。...[全文]
- 电子束光刻无须使用产生图形的掩模版或放大掩模版2018/2/10 20:12:12 2018/2/10 20:12:12
- 在研发X射线曝光设备的同时，X射线光刻胶的研发工作也在进行。，P89V51RD2FA这项工作很复杂，曝光必须在真空中进行，以防止空气分子对电子束的干扰。电子束通过一组静电板然后到达掩模版、放大掩...[全文]
- 固体钽电解电容器的失效机理2018/2/8 20:27:32 2018/2/8 20:27:32
- 但是，也发现产生电容量负超差失效的情况。特别在高温负荷工作（或试验）与高温储存试验的初期，HZICT51117814X0G电容量出现负变化，主要由于薄膜表面吸收的水分不断排出而代之以干燥空气。对...[全文]
- 温度补偿型用于高频谐振电路2018/2/8 20:12:58 2018/2/8 20:12:58
- 对于陶瓷电容器，温度补偿型用于高频谐振电路；高诱电型用于滤波及信号电路；温度补偿型有：CH零温度补偿型（例如，RC谐振电路，不需补偿温度系数）、UJ负温度补偿型（例如，I。C谐振电路，需补偿线圈...[全文]
- 电容器的常见故障2018/2/8 20:07:58 2018/2/8 20:07:58
- 当发现电容器的下列情况之一时，应立即切断电源。1)电容器外壳膨胀或漏油；HZICSGM3005XM10G2)套管破裂，产生闪络电火花；3)...[全文]
- 结型场效应晶体管2018/2/7 10:22:05 2018/2/7 10:22:05
- 结型场效应晶体管(Jul.ctionFiel扯EffectTransistor,JFET)是在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区,并将它们连接在一起,所引出的电极称为栅极(G),N型半导体两...[全文]
- 在发展替代传统平面结构的晶体管器件结构方面2018/2/7 10:19:16 2018/2/7 10:19:16
- 1949年肖克莱(W,B。Shocklcy)提出少子(少数载流子)在半导体中的注入和迁移的PN结理论以及基于PN结的双极型晶体管器件结构:91。1960年,贝尔实验室的D.Kal)ng和M,At...[全文]
- 双极型晶体管由两个PN结构成2018/2/7 10:10:24 2018/2/7 10:10:24
- 双极型晶体管由两个PN结构成,其中一个PN结称为发射结,另一个称为集电结。HZICLM273472360G两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极...[全文]
- 半导体器件与集成电路经历了艰难曲折的发展历程2018/2/7 10:06:25 2018/2/7 10:06:25
- 本章主要介绍以硅材料为主的半导体器件,以及由这些半导体器件及其他电子元器件所构成的当代集成电路不断按比例缩小所面临的挑战及可能的解决方案。HZICLF008A232X0G半导体器件...[全文]
- 一个虚拟仪器系统性能的优劣在很大程度上由其软件系统决定2018/2/7 10:01:27 2018/2/7 10:01:27
- 虚拟仪器运行在计算机上，HZICIS6261840X0G在计算机屏幕上显示的虚拟仪器控制面板的形式与真实仪器面板操作元素相对应，用户用鼠标操作虚拟仪器的软件控制面板就如同操作真实仪器一样真实、方...[全文]
- AD9764的典型应用2018/2/6 20:39:53 2018/2/6 20:39:53
- AD9764的典型应用:这里举例说明AD9T“的某些典型输出结构。除非特别提及,假定r。uTFs置为额定的⒛ll△A。对需要最优动态性能的应用来说,建议用差分输出结构。HZIC741G08723...[全文]
- 双电源增益控制电路2018/2/6 20:34:33 2018/2/6 20:34:33
- 要得到任何重构波形的最优失真性能,只需加入一个0.1ILF的外部电容就能实现。如果rRFF固定,最好使用一个0,1PF的瓷片电容。同样,因为控制放大器对小功率运行是最优的,所以对需要大信号幅度的...[全文]
- AD574A的单极性转换方式2018/2/5 21:50:16 2018/2/5 21:50:16
- AD574A的单极性转换方式:AD574A的单极性转换方式的硬件连接如图4.5,7所示。HZICCH7313B3640G图中,从12脚连出的电路用于偏值调整。它可给出±15V的调整范围,调整RP...[全文]
- 程控增益放大器的设计与应用2018/2/4 15:25:43 2018/2/4 15:25:43
- 在多通道或多参数的前向通道中,通常公用一个测量放大器,各通道或各参数送入测量放大器的信号电平不同,所涉及的模拟信号也是宽范围的,HZCY2863636T4X1G例如从毫伏级到伏级,为了充分发挥A...[全文]
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