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Microwire总线的存取操作

发布时间:2008/11/22 0:00:00 访问次数:698

  如前所述,microwire总线的存取操作是以时钟的上升沿为基准进行的。总线的大概工作情况如图1所示,时钟上升时,如果s输入为高电平,则器件处于选择状态。d输人一旦成为高电平,则识别为起始位,开始进行工作。在起始位之后的2位为操作代码,然后是地址位。地址位的位数不固定,根据存储器的容量而发生变化。

图1 microwire总线的存取操作示例

  若干个指令只能由这2位来指定,对于不能通过这2位完全表示的部分,将挪用紧随其后的地址位的一部分来表示指令。在这些指令中,虽然地址字段的值实际上只能使用2位,但需要传输与read/write指令相同的位数。

  m93cx6具有7种指令,例如m93c06和m93c46的指令格式如表2所示。作为实例,m93c06的读操作如图2所示,写操作如图3所示。另外ewen指令的发布实例如图4所示。

  图2 m93c06的读操作

  表 m93c06的指令设置

  图3 m93co6的写操作

  图4 ewen指令的发布实例

  1. read

  数据读指令是在操作代码“10”之后通过指定地址来进行的。一旦地址位发送完毕,存储器于时钟上升沿同步从q按顺序输出数据。由于开始之后将输出1位哑元“0”,所以需要丢弃该位。地址/数据起始于msb这一点是与ela-232等串行传输不同的地方。

  eeprom内部存在地址寄存器,如果读出1字节,则自动增加地址计数。读取指令之后,s保持高电平,如果继续给予时钟,则自动出现下一地址的数据,但此时不插人哑元“0”数据位。

  2. write

  写操作也是在操作代码“10”之后指定地址,进而利用d发送写人数据。-旦这些信息传送完毕,必将在下次时钟的上升沿将s(片选)设置为低电平,暂时中断选择。器件如果知道s为低电平,则开始内部的写人操作;如果s为高电平,则指令被忽略。

  与闪速存储器等相同,即使接受指令和数据,内部的写入操作也不是立即就能完成的。这期间,如果s设置为高电平.则选择器件;如果内部尚处于写人操作,则q输出为低电平;如果写人操作已完成,则q输出为高电平。

  闪速存储器在编程操作中进行的操作只是在位由“1”变为“0”的方向上,由“0”变为“1”的方向上只能进行擦除操作。而eeprom如果发出write指令,则内部可自动进行擦除操作。因此,只要发出write指令就可以进行替换。

  3. ewen(erase/write enable,擦除/写使自包)

  当操作代码“00”紧接着地址位前2位为“11”时,就是ewen指令。m93cx6已经具有禁止写入及擦除操作的功能,它是可以防止不经意的替换操作的。由于m93cx6在提供电源后写人及擦除操作是被禁止的,因此在希望进行替换操作时,需要发出该指令,允许进行替换操作。

  4. ewds(erase/write disable,擦除/写禁止)

  当操作代码“00”紧接着地址位的前两位为“00”时,就是ewds指令,发出该指令后,存储器就不能够接受替换及擦除指令。

  为了防止不经意的存储器的替换和擦除操作,最好在发出write指令后再发出该指令。

  5. erase

  当操作代码为“11”时,由随后地址位所指定的地址的内容将被擦除。虽然与通过write写入所有“1”的数据的结果相同,但擦除指令由于不需要传输数据的时间,因而较简单。在后面将要叙述的pc总线对应存储器的情况下,没有擦除指令,通过写人ffh就能达到擦除的功能。

  6. eral(erase all memory)

  当操作代码“00”紧接着地址位的前两位为“10”时,就是eral指令。它将擦除整个芯片的内容。与闪速存储器的chiperase指令相同。

  7. wral(write all memory with same data)

  利用指定的数据写满整个芯片,eral指令可以指定数据的。

  欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com)



  如前所述,microwire总线的存取操作是以时钟的上升沿为基准进行的。总线的大概工作情况如图1所示,时钟上升时,如果s输入为高电平,则器件处于选择状态。d输人一旦成为高电平,则识别为起始位,开始进行工作。在起始位之后的2位为操作代码,然后是地址位。地址位的位数不固定,根据存储器的容量而发生变化。

图1 microwire总线的存取操作示例

  若干个指令只能由这2位来指定,对于不能通过这2位完全表示的部分,将挪用紧随其后的地址位的一部分来表示指令。在这些指令中,虽然地址字段的值实际上只能使用2位,但需要传输与read/write指令相同的位数。

  m93cx6具有7种指令,例如m93c06和m93c46的指令格式如表2所示。作为实例,m93c06的读操作如图2所示,写操作如图3所示。另外ewen指令的发布实例如图4所示。

  图2 m93c06的读操作

  表 m93c06的指令设置

  图3 m93co6的写操作

  图4 ewen指令的发布实例

  1. read

  数据读指令是在操作代码“10”之后通过指定地址来进行的。一旦地址位发送完毕,存储器于时钟上升沿同步从q按顺序输出数据。由于开始之后将输出1位哑元“0”,所以需要丢弃该位。地址/数据起始于msb这一点是与ela-232等串行传输不同的地方。

  eeprom内部存在地址寄存器,如果读出1字节,则自动增加地址计数。读取指令之后,s保持高电平,如果继续给予时钟,则自动出现下一地址的数据,但此时不插人哑元“0”数据位。

  2. write

  写操作也是在操作代码“10”之后指定地址,进而利用d发送写人数据。-旦这些信息传送完毕,必将在下次时钟的上升沿将s(片选)设置为低电平,暂时中断选择。器件如果知道s为低电平,则开始内部的写人操作;如果s为高电平,则指令被忽略。

  与闪速存储器等相同,即使接受指令和数据,内部的写入操作也不是立即就能完成的。这期间,如果s设置为高电平.则选择器件;如果内部尚处于写人操作,则q输出为低电平;如果写人操作已完成,则q输出为高电平。

  闪速存储器在编程操作中进行的操作只是在位由“1”变为“0”的方向上,由“0”变为“1”的方向上只能进行擦除操作。而eeprom如果发出write指令,则内部可自动进行擦除操作。因此,只要发出write指令就可以进行替换。

  3. ewen(erase/write enable,擦除/写使自包)

  当操作代码“00”紧接着地址位前2位为“11”时,就是ewen指令。m93cx6已经具有禁止写入及擦除操作的功能,它是可以防止不经意的替换操作的。由于m93cx6在提供电源后写人及擦除操作是被禁止的,因此在希望进行替换操作时,需要发出该指令,允许进行替换操作。

  4. ewds(erase/write disable,擦除/写禁止)

  当操作代码“00”紧接着地址位的前两位为“00”时,就是ewds指令,发出该指令后,存储器就不能够接受替换及擦除指令。

  为了防止不经意的存储器的替换和擦除操作,最好在发出write指令后再发出该指令。

  5. erase

  当操作代码为“11”时,由随后地址位所指定的地址的内容将被擦除。虽然与通过write写入所有“1”的数据的结果相同,但擦除指令由于不需要传输数据的时间,因而较简单。在后面将要叙述的pc总线对应存储器的情况下,没有擦除指令,通过写人ffh就能达到擦除的功能。

  6. eral(erase all memory)

  当操作代码“00”紧接着地址位的前两位为“10”时,就是eral指令。它将擦除整个芯片的内容。与闪速存储器的chiperase指令相同。

  7. wral(write all memory with same data)

  利用指定的数据写满整个芯片,eral指令可以指定数据的。

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