图3-17给出了两种窗口层AlGaInP LED的土/特性曲线。两种器件有相同的1,77Ⅴ正向导通电压、2.12理想因子和10丬A的反向漏电流。HER305在20mA正向注入电流下,AlGaAs窗口层和GaP窗口层LED的动态串联电阻分别为3,15Ω和4%Ω。图3-18是在室温直流注入条件下,两种窗口层LED的光功率和外量子效率特性。相应于A1GaAs窗口层和GaP窗口层两种LED,9flnlA电流下光输出功率分别为2.00mW和2.44mW,2ClmA电流下的外量子效率分别为1.88%和1,91%。尽管GaP比AlGaAs窗口层的厚度小1um,但G护窗口层LED仍然表现出更优的光学特性,这可能是由于高Al组分AlGaΛs窗口层中缺陷引起的光吸收造成的。另外,从图中看出,大电流下A1GaAs窗口层LED的退化特性更为严重。

  通过比较可见,GaP是理想的AlGaInP LED窗口材料。现代红黄光LED的窗口层一般都选用GaP材料。