氮化物半导体异质结构材料中,量子阱、量子线、量子点等二维、一维以BAV170-NXP及零维材料的电子能带结构与三维体材料的电子能带结构有着本质的差异,因此存在着光电性质的差别。首先,由于量子限制效应,低维结构的导带以及价带中会形成一系列的子带及分立能级。在InGaN/GaN量子阱中,InGaN层为阱层,GaN为垒层,电子和空穴在InGaN阱中产生量子限制效应,即电子态在垂直于阱层的方向发生量子化,在导带与价带中形成分立能级。从导带底或价带顶算起的量子化能级通常可用有效质量近似的方法算得。在无限深阱的近似下,量子化的能量为。图⒈26中各量子化能级分别用量子数刀=1,2,3・¨标示。这样,一般意义上的带间跃迂主要是导带子带与价带子带之间的跃迁。这些光学跃迁会遵循跃迂的选择定则,除了通常的能量守恒及动量守恒外,量子阱中的带间跃迁的选择定则为Δ刀=0。总的来说,量子线、量子点材料的带间跃迁除了取决于低维材料的维度外,与低维结构具体的尺寸、形貌等很多因素有关。