在50多年的发展过程中,世界集成AD8403ARZ10电路产业为了适应技术的发展和市场需求,其产业结构经历了3个主要阶段。

   第一个阶段:1960年前后,随着平面工艺的发展,加上表面态问题得到了有效控制,以及实现了对器件结构尺寸的精确控制,表面和结型场效应器件获得应用。

   美国贝尔实验室的Kahng及Atalla成功研制出第一只MOsFET,通过在氧化层表面上沉积一层极小的铝层,称为栅极,实现了电流的控制。⒛世纪⒛年代早期,主要器件为P沟道铝栅MOsFET。由于无法控制钠离子的污染,N沟道铝栅MOsFET的阈值电压较大,为常开型(耗尽型)器件,很难得到增强型N沟道MOSFET,因而应用上受到很大限制。这一时期是以加工制造为主的初级阶段,IC设计和半导体工艺密切相关,主要以人工为主。

   第二个阶段:20世纪80年代,自对准多晶硅栅互补金属氧化物半导体场效应晶体管(CMOs)工艺得到应用。由于采用了自对准工艺,导致寄生电容非常小,并且改善了器件的可靠性。随着工艺和设计复杂度的日益增加,工艺与设计逐步分离,Foundry线(标准工艺加工线)公司与IC设计公司开始崛起。1980年,美国加州理工学院的Mead和Conway出版了《In“oduction to VLsI system》一书。书中提出了以“λ设计规则”和“等比例缩小”定律为主要内容的IC设计与工艺制作相对独立的思想。此外,这一时期IC CAD技术也发展到一个新的阶段,能为设计提供方便的原理图编辑、仿真验证和版图自动布局布线等功能。