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微电子工艺氧化2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　微电子工艺之所以会有今天的发展，二氧化硅做为一种优质的绝缘材料起着至关重要的作用。对于光波导器件来说，最合适生长上包层二氧化硅的做法也是采用氧化工艺。热氧化分为干氧氧化和湿氧氧化两种。干氧氧...[全文]
RIB刻蚀气体系统2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　rib中一般不采用单一品种的气体，而是数种气体的组合（气体系统）。其作用分别是： 　　（1）主刻蚀气体。一般用含卤族元素的气体，特别是卤碳化合物气体。之所以较少使用纯卤元素气体，是因为其化...[全文]
RIE的质量控制指标2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　（1）刻蚀速率：影响因素有刻蚀气体种类、活性基团的密度（例如hdp的刻蚀速率很高）、鞘层电压（通过功率、气体压力、流速、频率、浓度等工艺参量改变）。 　　（2）选择性：rie主要用于图形转...[全文]
接触式／接近式光刻机2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　对于接触式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1 gm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0...[全文]
分步重复光刻机2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　图显示了一种简单分步重复光刻系统。掩模版放在聚焦透镜和投影系统之间，掩模图像是被缩小了5～10倍投影到衬底晶片上的。这种光学系统有很多优点：第一，可以利用大得多的特征尺寸绘制掩模图形，例如在...[全文]
步进扫描光刻机2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　步进扫描光刻系统是一种混合设各，融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机技术，是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶片上一部分实现的。这种技术在一定程度上缓解了器件特征尺寸减小而半导体晶圆物...[全文]
微电子与光电子集成技术简介2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　微电子技术已经成为推动现代科学技术飞速发展的主流技术，而光电子技术在能源、通信、人工智能等方面有着极其广泛的应用。微电子技术、光电子技术及生命科学技术己经成为现代科学技术的三大支柱。 　　...[全文]
发射器件晶外结构2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　半导体材料是由一种或几种原子周期性规则排列而成的晶体，而每个原子又包含原子核和核外电子。夫于半导体晶体结构的基础理论在相关固体物理方面的书籍中已有详细论述，这里不作为本书的重点内容进行详细展...[全文]
光发射器件能带结构2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　能带理论提供了分析半导体理论问题的基础，推动了半导体技术的发展。能带理论是单电子近似的理论，就是假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格...[全文]
半导体电致发光基础理论2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　这种电致发光方式是由电场（电流）激发载流子，将电能直接转变为光能的过程，也称为场致发光。电子在从高能级向低能级跃迁的过程中，必然释放出一定的能量。如果能量以发射光子的形式释放，则称这种跃迁为...[全文]
半导体激光简介2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　激光（laser）是“受激辐射光放大”的简称，是一种亮度极高、方向性和单色性很好的相干光辐射。产生激光的跃迁过程是：自发辐射、受激吸收与受激辐射，可以用一个简单的两能级系统来定性说明，如图1...[全文]
半导体激光器简介2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　半导体激光器是利用半导体中的载流子受激跃迁而引起受激光发射的光振荡器和光放大器的总称。半导体激光器要产生相干辐射，必须具备三个基本条件，即 　　（1）产生激光的物质。为了形成稳定振荡，激光...[全文]
半导体激光器分类2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　半导体激光器的种类很多，各种参考文献对激光器的种类进行了详细论述，图进行了简单示意。半导体激光器可以根据有源层材料、发射波长、器件结构、输出功率和应用领域等不同方式进行划分，分类方式灵活，相...[全文]
单异质结激光器2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　单异质结激光器可以分为同型异质结（n－n或p－p）和异型异质结（n－p或p-n），图说明了能带结构情况。 　　图 单异质结激光器能带结构示意图 　　以n－n同型单异质结激光器能带为例...[全文]
双异质结激光器2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　双异质结基本结构是将有源层夹在同时具有宽带隙和低折射率的两种半导体材料之间，以便在垂直于结平面的方向（横向）上有效地限制载流子和光子。用此结构于1970年实现了gaalas／gaas激射波长...[全文]
分布反馈激光器（DFB－LD）2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　设计和制作在高速调制下仍能保持单纵模工作的激光器是十分重要的，这类激光器统称动态单模半导体激光器。实现动态单纵模工作的最有效的方法之一，就是在半导体激光器内部建立一个布拉格光栅，靠光栅的反馈...[全文]
量子阱激光器2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　量子尺寸效应最实际的应用是量子阱（mqw）及用量子阱所得到的各种半导体器件，量子阱是窄带隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之间。由一个势阱构成的量子阱结构为单量子阱，简称为sqw（single...[全文]
硅基半导体激光器2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　目前，对于单片集成光电子回路来说，最大的限制就在于缺少合适的光源，而基于化合物材料的半导体激光器由于工艺上与标准集成电路工艺不兼容，无法实现单片集成电路。所以只能选择硅作为基本材料的发光器件...[全文]
垂直腔面发射激光器（VCSEL）2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　vcsel的基本工作原理与其他的半导体激光器相类似。都是通过将电流注入到有源区，并在有源区内提供足够的增益，才有光模式激发出来。vcsel中光子的寿命只是略短于边发射激光器，与边发射激光器不...[全文]
VCSEL的总体结构设计2008/12/3 0:00:00
2008/12/3 0:00:00
　　图是垂直腔面发射激光器的结构示意图。其有源区由多量子阱组成，有源区上、下两边分别由多层1／4波长厚的高、低折射率交替的外延材料形成dbr，出射光方向可以是顶部或衬底，这主要取决于衬底材料对所...[全文]
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