- 半导体VCSEL离子注入型2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 离子注入工艺就是用高能离子注入设各把具有一定能量的带电粒子掺入到半导体材料中，从而改变半导体材料的电学性质和光学性质。离子从上dbr处注入，与晶体内的电子和原子核发生碰撞，产生晶格空位，并通...[全文]
- 半导体VCSEL再生长型2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 制作折射率导引型结构的vcsel，需要改变光腔周围的折射率。这可以通过刻蚀／再生长工艺来实现，其基本原理就是在光腔周围生成一个新的半导体材料（折射率也随之变化），起到光场的横向限制作用，如图...[全文]
- 半导体VCSEL选择氧化型2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 选择氧化技术最初是应用于边发射激光器领域中，后来才被引入到vcsel的制作中，如图1所示。其原理是将高a1组分的a1，ga；￣，as在350～500℃下与水汽反应生成化学性质稳定、绝缘性能良...[全文]
- 液晶质量的检测2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 用万用表“×10k”挡的任一只表笔接触电子表或液晶显示器的公共电极（又称为背电极，一般为显示器最后一个电极，而且较宽），另一只表笔轮流接触各字划电极，若看到清晰、无毛边、不粗大地依次显示各字...[全文]
- 直流电流测量电路的工作原理2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 如图所示，简单的电流表只能用来测量小于或等于其满偏电流量的电流。为了扩大电流表的量程，可以在表头两端并联一定数值的电阻，如图b所示。但是，若此时仍不能满足测量范围的需要，可以采用独立分挡式电...[全文]
- 直流电压测量电路的工作原理2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 如图所示，直流电压表的表头内阻为rg,满偏电流为im，因此其量程为rgim,其值一般在数十毫伏至数百毫伏之间。为了能够测量大于表头端电压的电压值，就要串接适当阻值的电阻，这个电阻叫电压表的扩...[全文]
- 交流电流测量电路的工作原理2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 如图所示，这种电路一般分为先整流后分流或先分流后整流两种。为了减轻整流器件的负担，目前基本上全部采用先分流后整流的方式，如图a、b所示，通常该电路称为电阻分流扩大量程电路。其优点是：电路简单...[全文]
- 交流电压测量电路的工作原理2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 交流电压测量电路中的整流装置与交流电流测量电路中的整流装置相似。因而在具有交流电流和交流电压测量功能的万用表中都是共用一套整流器件。交流电压测量中，扩大量程用的倍率器结构与直流电压测量用的倍...[全文]
- 功率表不能正常工作的故障2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- 1）用万用表电阻挡测量电流回路或电压回路，检查是否有元件开路（不可带电测量）q若有开路元件，则孓以更换；若有开路点，则应重新焊接。 2）检查分压或分流电阻的阻值是否正常？若阻值发生改变...[全文]
- 双极型微电子技术简介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 双极型制造工艺是早期集成电路产品所应用的唯一工艺。随着微电子工艺的发展，双极型工艺逐渐被mos工艺所代替。在20世纪70年代，cmos工艺逐渐成为主流微电子制造工艺。在过去的30多年中，cm...[全文]
- MOS微电子技术简介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- mos场效应晶体管是金属－氧化物－半导体场效应晶体管的简称，它通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力。mos场效应晶体管不仅具有双极型三极管体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且...[全文]
- Bi-CMOS微电子技术简介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- bi-cmos技术是一种将cmos器件和双极型器件集成在同一芯片上的技术。由上述两节可知，双极型器件速度高，驱动能力强，模拟精度高，但是功耗大，集成度低，无法在超大规模集成电路中实现；而cm...[全文]
- SOI微电子技术简介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- soi（silicon－on－insulator，绝缘层上覆硅）技术的出现虽然已有30多年，但是取得突破性进展是在20世纪80年代后期。最初人们仅认为sol技术有可能替代在特殊场合应用的so...[全文]
- 光电子技术简介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 近年来，随着信息化社会的到来，作为尖端技术的微电子学领域，为了加快技术进步，不断地要求更多、更快、耗能更少地处理信息。在过去的发展中，电子器件逐渐小型化，处理速度高速化，而消耗电能越来越少。...[全文]
- 光发射器件简介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 用半导体材料制作的光发射器件一般分为两类：半导体光电二极管和半导体激光二极管。从物理的角度看，光发射的原理一般分为以下几种情况：①台邕带间的跃迁；②能带－杂质能级间的跃迁；③施主－受主对的跃...[全文]
- 光接收器件简介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 光接收器件是利用光电转换现象，将光信号转换成电信号的器件。根据光接收器的原理不同，光接收器可分为光电导器件、光电二极管和光电晶体管3种。这些光电接收器的工作原理都利用了光电导效应和光生电动势...[全文]
- 光波导器件简介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 通常，光在空间内进行传播时，因发生衍射而分散，所以难以把光的能量限制在狭窄的空间内。但是，如果在衬底上设置折射率比其他地方高的空间，则由于光在界面上反复进行全反射，光可以限制在尺寸约为波长大...[全文]
- 太阳能电池简介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 在文明的发展过程中，能源科学和技术是保障文明发展的重要科学技术之一。化石燃料必将走向枯竭，为了摆脱这种窘境，我们需要寻找对地球环境无害且取之不尽、用之不竭的绿色能源，太阳将会给予我们这种能源...[全文]
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