对于接触式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1 gm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0.5 gm左右。接触式光刻机的掩模版包括了要复制到衬底上的所有芯片阵列图形。在衬底上涂上光刻胶，并被安装到一个由手动控制的台子上，台子可以进行x、y方向及旋转的定位控制。掩模版和衬底晶片需要通过分立视场的显微镜同时观察，这样操作者用手动控制定位台子就能把掩模版图形和衬底晶片上的图形对准了。经过紫外光曝光，光线通过掩模版透明的部分，图形就转移到了光刻胶上。接触式光刻机的主要缺点是依赖于人操作，由于涂覆光刻胶的圆片与掩模的接触会产生缺陷，每一次接触过程，会在圆片和掩模上都造成一定的缺陷。因此，接触式光刻机一般用于能容忍较高缺陷水平的器件研究和其他应用方面。

　　为了避免产生缺陷，接近式光刻机就得以发展起来。在接近式光刻中，连续复制整个晶片图形，掩模版与光刻胶不直接接触，而是存在大致2.5μm到25μm的间距。掩模浮在晶片表面，一般在一层氮气气垫上。晶片与掩模的间隙受进入的氮气流控制。通过这个间隙接近式光刻在一定程度上缓解了接触式光刻机的玷污问题，但是导致了分辨率的下降，从而使减小线宽特征尺寸成了主要问题。

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