双异质结激光器
发布时间:2008/12/3 0:00:00 访问次数:717
双异质结基本结构是将有源层夹在同时具有宽带隙和低折射率的两种半导体材料之间，以便在垂直于结平面的方向（横向）上有效地限制载流子和光子。用此结构于1970年实现了gaalas／gaas激射波长为0.89 μm的半导体激光器在室温下能连续工作。图表示出双异质结激光器的结构示意图和相应的能带图在正向偏压下，电子和空穴分别从宽带隙的n区和p区注进有源区。它们在该区的扩散又分别受到p－p异质结和n－p异质结的限制，从而可以在有源区内积累起产生粒子数反转所需的非平衡载流子浓度。同时，窄带隙具有源区有高的折射率与两边低折射率的宽带隙层构成了一个限制光子在有源区内的介质光波导。
图 双异质结结构及能带示意图
欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
双异质结基本结构是将有源层夹在同时具有宽带隙和低折射率的两种半导体材料之间，以便在垂直于结平面的方向（横向）上有效地限制载流子和光子。用此结构于1970年实现了gaalas／gaas激射波长为0.89 μm的半导体激光器在室温下能连续工作。图表示出双异质结激光器的结构示意图和相应的能带图在正向偏压下，电子和空穴分别从宽带隙的n区和p区注进有源区。它们在该区的扩散又分别受到p－p异质结和n－p异质结的限制，从而可以在有源区内积累起产生粒子数反转所需的非平衡载流子浓度。同时，窄带隙具有源区有高的折射率与两边低折射率的宽带隙层构成了一个限制光子在有源区内的介质光波导。
图 双异质结结构及能带示意图
欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
上一篇：分布反馈激光器（DFB－LD）
上一篇：单异质结激光器
相关技术资料- 6-17全新 Mali-G1-Ultra MC12应用详情
- 6-172nm GAA 工艺 Exynos 2600 原型芯片
- 6-17A系列芯片和蜂窝网络调制解调器C1
- 6-17最新一代BPU Nash架构RDK S100
- 6-17 4 核心 Arm Cortex-R52+ MCU应用详解
- 6-17分层决策（大小脑模型）和端到端一体化VLA
- 6-16DC/DC 降压电源模块技术参数设计
- 6-16集成高效降压 DC/DC 变换器特性和优势
- 6-16I2C 接口和 PmBUS 及 OTP/MTP 存储器应用
- 6-16IGBT高效率2.5KW空调电源方案
- 6-16NCP1622+NCP13992的100W 适配器电源应用
- 6-16Power Management Buck/降压转换器
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
