rib中一般不采用单一品种的气体，而是数种气体的组合（气体系统）。其作用分别是：

　　（1）主刻蚀气体。一般用含卤族元素的气体，特别是卤碳化合物气体。之所以较少使用纯卤元素气体，是因为其化合物气体较易处理，操作危险性小。

　　（2）惰性气体（ar，he等）起稳定和均匀等离子体的作用，并有加强各向异性刻蚀效果的作用。

　　（3）基团或未饱和物的清除物。在电子轰击下，有一部分卤碳化合物被分解成卤素（刻蚀剂）和不饱和卤碳化合物（卤素被剥离后剩下的部分）。不饱和卤碳化合物可能是刻蚀剂，也可能不是。它可与卤素重新复合（这会降低刻蚀剂卤素的浓度），也可能形成聚合物（polymers）（聚合物有可能阻止刻蚀进行，但如落到侧壁（sidewall）上，可以作为掩膜保护图形侧壁，有利于各向异性刻蚀）。实用上常用氧化性气体（02）或还原性气体（h2）的添加。通过上述机制，达到改善选择性及各向异性的目的。例如，在纯cf4等离子体中刻s1／si02。刻蚀速率及选择性都很低。因为等离子体分解了cf4→f十cfx（x≤3）后，f与cfx又不断地复合。因此／的稳态浓度很低，刻蚀速率很低。加入02后，02与cf．反应形成cof2、co、co2，减少了f原子的复合损耗。

　　结果：

　　①f原子浓度增加，51刻蚀速率因而增加。

　　②减少cf，形成polymers的趋向；另一方面，02又会吸附到si表面形成sio，，影响到与sio2的选择比。而加入h2后，h与f结合，形成hf，使si刻蚀速率下降。而cf，增加，使si02刻蚀速率增加。

　　（4）天然氧化物清除剂。有些材料（如a1、si）容易氧化，其天然氧化物膜的存在，妨碍刻蚀的启动。如刻51时，添加c2f6；刻a1时添加bc13。这样可以清除天然氧化层，进而启动刻蚀进程。

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