- 热点检测失效定位2017/11/14 20:35:12 2017/11/14 20:35:12
- 热点是芯片最容易失效的部位,也是芯片最常见的失效模式之一。热点检P87C51RB+5A测是芯片级失效定位的有效手段。报道的热点检测技术有红外显微分析,液晶检测技术和Flu°rescentMicr...[全文]
- 失效分析技术 2017/11/13 20:30:55 2017/11/13 20:30:55
- 失效分析方法,大体上包括两个方面,即失效分析的逻辑思维方法和失效分析的实验检测技术。SMDA15CTB失效分析的实验检测能够提供有关失效的资料,它是判断失效原因的基本依据,本章主要讨论失效分析的...[全文]
- 具有高MEEF的图形会减少全芯片的工艺窗口2017/11/12 16:53:39 2017/11/12 16:53:39
- 众所周知,具有高MEEF的图形会减少全芯片的工艺窗口,所以它们在光刻工艺中不能被忽视。R1002当复杂以及不断缩小的图形增强邻近效应,显影失败的危险,也就是所谓的MEEF指标,就会增加。对于不相...[全文]
- 要制造出浅而且浓的结需要许多制程的相互配合2017/11/12 16:42:10 2017/11/12 16:42:10
- 要制造出浅而且浓的结需要许多制程的相互配合.首先需要低能童高浓度的杂质掺入技术。R05E05通过低能量离子置入(lowcnergyimplan0和较重掺杂元素(species)的选用把掺杂物送到...[全文]
- 栅极氧化层制程对M○S电性参数的影响 2017/11/12 16:36:15 2017/11/12 16:36:15
- MOSFET的电性参数控制对集成电路甚为重要,然而也受制程的影响最多。就栅极氧R0502053S化层而言,如何在降低有效氧化层的厚度(effective>(leakage)、保持通道内载流子的迁...[全文]
- Cu CMP产生的缺陷2017/11/11 18:17:51 2017/11/11 18:17:51
- 降低缺陷是CMP工艺,乃至整个芯片制造的永恒话题c随着器件特征K寸的不断缩、缺陷对于I艺控制和最终良率的影响愈发明形,致命缺陷的大小至少要求小于器件尺寸的50%。金属残余物QAMI...[全文]
- 先进工艺对Cu cMP的挑战2017/11/11 17:48:47 2017/11/11 17:48:47
- 在先进I艺中,随着金属连线的尺寸越来越小,微小的铜线高度的变化,就会造Q62702A950成很大的电阻值和电容值的变化。在铜抛光中铜去除量的波动是电阻值波动的主要来源之一。所以先进工艺对铜抛光的...[全文]
- 应力记忆技术的刻蚀2017/11/5 17:01:14 2017/11/5 17:01:14
- 应力记忆技术(sMT)L2Γ已经成为应变硅技术的一种,从65nm△艺节点开始用于增强NMOs的性能。PCI2050BIZHK通常将具有拉伸应力的SiN层覆盖在NMC)S上,在尖峰退火后便产生了S...[全文]
- ,ESC温度和图形化方案对孔圆度控制、侧辟形状和不同特征情况下的收缩比率也很重要的2017/11/4 11:38:09 2017/11/4 11:38:09
- 除了上述的接触孔刻蚀的调节方法,ESC温度和图形化方案对孔圆度控制、侧辟形状MAX9111EKA-T和不同特征情况下的收缩比率也很重要的。图8,29(a)显示的是在如nm及以下丁艺节点巾,经常出...[全文]
- 设置参数P11352017/11/3 22:34:43 2017/11/3 22:34:43
- 设置参数P1135，确定OFF3的斜坡下降时间。OFF3的斜坡下降时间是得到OFF3停止命令后电动机从其最大频率减速到静止停车所需的斜坡下降时间，其设定值的范围为0~650s。该参数的用户访问级...[全文]
- 水罩相对硅片禁止时的接触角2017/10/29 13:20:44 2017/10/29 13:20:44
- 一般通过减少水从浸没水罩(in1n1crsionhood)之中的流失来改进浸没式光刻造成的缺陷。如图7.49(a)、图7,49(b)所示。例如加强抽取的效率、V480LA40A使用气帘(airk...[全文]
- 其他图像传递方法2017/10/24 20:42:32 2017/10/24 20:42:32
- 众所周知,一种继XC1765ELSO8I续发展光刻技术的方向是缩小波长。但是,这种努力被一些因素所困扰,如开发合适的157nm光刻胶,掩膜版保护膜(pelliclc)以及镜头材料氟化钙(CaF2...[全文]
- 预清洁工艺2017/10/23 20:55:07 2017/10/23 20:55:07
- 早先的预清洁是利用Ar物理轰击作用。利用电容耦合器件在基底上加载一个偏压,OPA2330AIDGKT被感应耦合线圈离化的Ar(Ar+)在偏压的作用下加速撞击通孔底部,氧化铜和其他一些残留物会被溅...[全文]
- 与常规CMOS工艺兼容的镍的全硅化工艺是自对准工艺2017/10/22 11:27:18 2017/10/22 11:27:18
- 与常规CMOS工艺兼容的镍的全硅化工艺是自对准工艺,而且几乎没有栅介质的损伤,TC74LCX32FT是一种比较简单的形成金属栅的方法。由于NiSi的功函数接近硅能带间隙中央,可以通过掺杂(PtS...[全文]
- 应力效应提升技术 2017/10/22 11:10:39 2017/10/22 11:10:39
- 从上面几节中,我们可以看到应力效应不仅可以用来提高NMOS器件性能,而且也可以用来提高PMOS器件性能。除此之外,还有许多报道使用应力效应提升技术来更进一步地提高器件性能的方法。本节将介绍应力效...[全文]
- 补偿电容器绝缘是否可靠2017/10/19 22:21:31 2017/10/19 22:21:31
- 在整流电路调试正常后,恢复逆变器负载端接线,检查负载连接是否完好,补偿电RC5051M容器绝缘是否可靠,感应线圈有无匝间短路、对地短路现象。接通三相交流电源和控制电源开关。检查逆变...[全文]
- 互连层RC延迟的降低2017/10/12 22:10:01 2017/10/12 22:10:01
- 随着集成电路技术节点的不断减小以及互连布线密度的急剧增加,互连系统中电阻、电PT4115BSOH容带来的RC耦合寄生效应迅速增长,影响了器件的速度。图2.3比较了不同技术节点下门信号延迟(gat...[全文]
- 电位器有二个端子2017/10/8 19:40:52 2017/10/8 19:40:52
- 电位器有二个端子,在电路中可通过旋转轴使电阻值在最大值与最小值之间变化。用QS5930-50TQ万用表测量电位器的方法与测量固定电阻的方法相同,检查时首先要转动旋柄,看看旋柄转动是否平滑,开关是...[全文]
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