降低缺陷是CMP工艺,乃至整个芯片制造的永恒话题c随着器件特征K寸的不断缩、缺陷对于I艺控制和最终良率的影响愈发明形,致命缺陷的大小至少要求小于器件尺寸的50%。

   金属残余物QAMI5516AUA

   Cu CMP一个皋本的问题便是氧化硅介质上的金属残余物(residue),这会导致电学短路。这种金属残留主要是由于介质层的表面不平引起的,土一层铜抛光所产生的凹陷(dishing)和侵蚀(er°sion),则会在下一层铜抛光屮形成金属残留。

   铜自白谓蚜饣虫(corrosion)

   铜的腐蚀(corrosion)是一种常见而棘手的缺陷。引起腐蚀的原因有很多种。

   1)电偶腐蚀(ga1mnic corrosion)

   电偶腐蚀是一种电化学过程,两种不同的金属连接在一起浸在电解液中形成一个电势差,阳极金属离子通过电解液向负极迁移,阳极金属发生腐蚀。一个普通的例子是:碳锌电池中,锌发生腐蚀并产生电流。在Cu CMP的过程中,铜和阻挡层金属钽(tan1alum)恰好形成电偶,而含有硫、氯或氟的去离子水(DIW).研磨液或清洗液则正好是电解液。

   2)隙问腐蚀(crevicc corrosion)

   隙问腐蚀是由渗透在铜和钽((lu/Ta)之门微小间隙中的电解液引起的,见图11,1o。来自于铜中的硫或FTα)S中的氟,溶解于电解液后则会加强此效应。