众所周知,一种继XC1765ELSO8I续发展光刻技术的方向是缩小波长。但是,这种努力被一些因素所困扰,如开发合适的157nm光刻胶,掩膜版保护膜(pelliclc)以及镜头材料氟化钙(CaF2)的生产量等。不过,最近⒛多年,人们对极紫外(Extremcly Ultra―Violet,EUV)波长的光刻技术还是投人了大量的研究。这种技术使用强激光或者高压放电产生的氙或者锡等离子体发射的13,5nm的极紫外光[5]。虽然极紫外技术所带来的高分辨率很吸引人,但是该技术也有很多技术困难,如反射镜容易被脉冲产生的飞溅物质所沾污,极紫外光很容易被吸收(要求系统有极高的真空度和最少的反射镜片数),对掩膜版的苛刻要求(没有缺陷以及高反射率),由于波长短所引起的散光(Ⅱare),光刻胶的反应速度以及分辨率等。除了使用传统意义上的光来传递掩膜版图形外,人们还在寻找其他微刻方法,如X光、纳米压印、多电子束直写、电子束、离子束投影等。