MOSFET的电性参数控制对集成电路甚为重要,然而也受制程的影响最多。就栅极氧R0502053S化层而言,如何在降低有效氧化层的厚度(effective o茹dc thickncss)、抑制氧化层的漏电流(leakage)、保持通道内载流子的迁移率(mobility)、可靠性(Gate O疝de Integrity,G()I)之间达到平衡一直是重要的课题;在运用上,高压器件必须能承受高电压,闪存对电子在氧化层中穿过发生的可靠性要求很高,而逻辑制程则是必须兼顾效能和漏电流。

   栅极氧化层以在硅基材上氧化生成的氧化硅(Si()2)为主,期望能达到最佳的载流子移动率和可靠性要求;有些应用则会使用上化学气相沉积(CVD)的氧化硅或其他材料。制程微缩的过程中不断追求更薄的栅极氧化层以达到更高的电容值,但这也换来其中的漏电流不断上升。氧化层在40nm以下漏电流已到不可忽视的状态,为了得到良好的控制,逐渐从炉管(furnace)这种一次处理多片的制程,转成快速升降温氧化(rapid thermal oxidation)加上电浆(plasma)掺氮的单片制程。掺氮的栅极氧化层(nitride o姑de)能有效提升介电常

数,同时抑制漏电流,然而电浆掺入的氮极不稳定,制程设计上必须要能更加严密监控,才能达到均一性的要求。