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新兴控制器FPGA2012/6/3 16:04:25
2012/6/3 16:04:25
FPGA(Field-ProgrammableGateArray),即现场可K6F1008V2C-YF55编程门阵列,是在PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用...[全文]
如果希望变更频率偏移2012/6/2 19:44:58
2012/6/2 19:44:58
如果使用的话筒输出电平太小,就得不HS0038B8到大的频率偏移。这时接收到的音量就变小了。这种情况下,增大与变容二极管串联的电容器Cl的值,就能够得到大的频率偏移。相反,如果接收到的音量过大,那么...[全文]
RF放大器的构成2012/6/2 19:33:27
2012/6/2 19:33:27
RF放大器中使用的晶体管Tr2与FM调M4A3-128/64-10VC-12VI制电路中的相同,是FR=550MHz的2SC2668。放大器是发射极接地形式,把发射极直接接地以提高放大倍数。如图1...[全文]
使用MOSFET的LC振荡电路2012/6/2 19:03:33
2012/6/2 19:03:33
图14.29是使用MOSFET的LC振荡电路。振荡频率与图14.14的电S29GL128N90TFIR1路相同是4MHz。使用的是耗尽型MOSFET,如果设定栅极偏置电压为OV,就可以把栅极偏置电路...[全文]
应用共振电路和负阻产生振荡2012/6/1 19:26:12
2012/6/1 19:26:12
LC振荡电路是一种用放大器CAT24WC02J-TE13的负阻抵消LC共振电路的损耗使振荡持续下去的振荡电路。按照L和C组合方式的不同可分为哈特莱振荡电路和考毕兹振荡电路两种。图14.13是哈特莱...[全文]
移相振荡的结构2012/6/1 19:18:16
2012/6/1 19:18:16
使用RC的正弦波振荡电路ICE3BR0665J也叫做文氏电桥或者移相振荡电路。它是一种基于正反馈的振荡电路。这里简单地介绍移相振荡电路的工作原理。图14.10是移相振荡电路的框图。放大器采用输入输...[全文]
晶体管差动型模拟开关2012/6/1 19:09:10
2012/6/1 19:09:10
在VTR或电视机内部切换视A6252M频信号的部分采用晶体管的模拟开关。这不是在输入输出间串联插入开关器件的形式,而是利用差动放大电路的性质。图13.23是差动型模拟开关的原理图。这种电路当控制信...[全文]
无须调整的降压型电源2012/5/31 19:43:17
2012/5/31 19:43:17
图12.12是又一例不需CY74FCT162373CTPAC要调整的降压型开关电源。这个电路是把用精密分路调整器ICTL431MLP(TI)制作的2.5V基准电压与电阻分压的输出电压用开路集电极输...[全文]
B点和C点的波形2012/5/31 19:25:22
2012/5/31 19:25:22
照片12.5是B点和C点的波形。与升压RDC19222-202型相同,Tr2是以模拟方式工作,所以C点的‘波形占空比小于50%。由此可以看出作力开关的控制方式,不仅有接通/断开开关脉冲,而且还有改变...[全文]
设定输出电压2012/5/30 22:54:06
2012/5/30 22:54:06
R6、CR1、R7串联回路是对输出电APA075-FTQ100压进行分压,并通过控制Tr2的开关来固定输出电压的电阻。决定这个电路输出电压的基准电源是Trz的基极一发射极间电压VBE。因此,通过实...[全文]
降压型电源的结构2012/5/30 19:41:11
2012/5/30 19:41:11
上一章介绍有74LCX04MTCX关使用MOSFET的升压型开关电源的实验。本章就使用晶体管的开关电路的应用,介绍降压型开关电源的制作。降压型开关电源经常应用于由模拟电路电源(例如+15V)制作数字...[全文]
确定电感2012/5/29 19:49:04
2012/5/29 19:49:04
积蓄能量的电感L,的最佳值EA1530A因开关频率以及输出电流大小而不同。一般来说,小型升压型开关电源的电感量约为几十至几百微亨,通常开关频率愈低,输出电流愈小,使用的电感量应该愈大。这里设计的电源...[全文]
DC-DC变换器的基础是施密特触发振荡电路2012/5/29 19:13:11
2012/5/29 19:13:11
为了能够使图10.13中的SW开关工THC63DV161作必须有振荡电路。这里把直流变换为交流的开关SW使用的是施密特触发振荡电路。如果施密特触发变换器采用CMOS门,会降低振荡电路的输出阻抗,能够...[全文]
控制H电桥的逻辑电路2012/5/28 20:07:27
2012/5/28 20:07:27
表10.1是控制输入信号A,B与H电桥MOSFET的ON/OFF关系。这个表设MOSFETOFF的逻辑信号为L,ON的逻辑信号为H(因为MOSFET的栅极为OV时截止,栅极为Vcc+3.5V时导通...[全文]
用MOSFET构成的H电桥2012/5/28 19:48:17
2012/5/28 19:48:17
图10.2是用MOSFET取代H电桥各PIC16C57C-04P开关的电路。H电桥的Sl和S3用P沟MOSFET源极接地型开关电路替换,S2和S4用N沟MOSFET源极接地型开关电路替换。功率MO...[全文]
采用MOSFET的源极跟随器开关电路2012/5/28 19:39:36
2012/5/28 19:39:36
图9.11是采用N沟MOSFET的源极MTM30N45跟随器型开关电路。这个电路的构成中只是换了图9.9电路中的FET(漏极负载电阻RD的值不同)。照片9.9是给图9.11的电路输入1MHz、OV...[全文]
开关波形——正常导通与正常截止2012/5/27 20:08:57
2012/5/27 20:08:57
下面我们观察输IP101入方波时的开关波形。照片9.3是给图9.1的电路输入lOOkHz、-5V/OV方波时的输入输出波形(注意输入的电平信号不应该使二极管导通)。可以看出VI=OV时VO=OV,...[全文]
跨阻抗的测定2012/5/26 14:27:33
2012/5/26 14:27:33
现在测定由发射极接地电路与R3、R4构成的阻TMS320DM365ZCE30抗放大器的跨阻抗,它是构成电流反馈型放大器的重要部分。跨阻抗是电流一电压变换器(FV变换器)的性能参数,表示由电流向电压...[全文]
放大倍数与频率特性2012/5/24 20:07:22
2012/5/24 20:07:22
图6.3是低频范围(lHz~lkHz)电压增B5014KRB益的频率特性。设计的电路的电压增益A。在lkHz处的值约为2.7倍(约8.5dB),比设定值A,=3dB约低10%。这是由于VGS通常是...[全文]
漏极的相位相反2012/5/19 20:29:51
2012/5/19 20:29:51
RD连接在漏极与电源之间,所以这MSP430F2274IDAR里产生的电压降是以电源为基准的。因此,当输入电压Vi增加,漏极电流也增加时,RD上的电压降相对于电源也变大,漏极相对于地的电位Vd(R...[全文]
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