- ESD分析原理示2017/6/22 21:22:14 2017/6/22 21:22:14
- 理论上本案例出现的问题还存在一种可能,那就是以上几种静电放电对于设备影响种类中的(3)。M25P64-VME6TG只是很难用试验来区分到底是哪种方式影响了内部电路,这里也把这种可能出现的情况分析...[全文]
- 电阻在TⅤS外的电路原理2017/6/20 21:09:07 2017/6/20 21:09:07
- 【原因分析】由上面的测试数据可以看出,第一组信号接口的抗浪涌电压能力比第二组信号接口要差很多。PAT1206E1052BST1测量分析实验后的PCB,发现第一组信号接口失效是由于串...[全文]
- 可以采用在电源输人线上串联电阻的方式来改善产品的谐波抑制性能2017/6/20 21:04:25 2017/6/20 21:04:25
- 【处理措施】按以上描述适当减小电源输人端口的滤波电容,把原来值为1uF的Ⅹ电容改成0.躬uF,PAM3116BLBADJR电源输人线串联电阻10Ω可以在一定程度上降低滤波电容充电电...[全文]
- 在485信号线上串联共模电感2017/6/19 20:17:30 2017/6/19 20:17:30
- 【处理措施】在485信号线上串联共模电感。【思考与启示】HCPL-2611-000E(1)对于传输距离较长或与电源线等易受侵袭的线有平行布线的差分信号线...[全文]
- 电磁场是电场与磁场交替进行传播的电磁波2017/6/9 19:38:57 2017/6/9 19:38:57
- 电磁场是电场与磁场交替进行传播的电磁波,电磁场屏蔽是利用屏蔽体阻止电磁场在空问传播的一种措施。ECLAMP2422N/TCT当电磁波到达屏蔽体表面时,由于空气与金属的交界面上阻抗的不连续,对入射...[全文]
- 时域与频域2017/6/5 19:49:59 2017/6/5 19:49:59
- 仟何信号都可以通过傅里叶变换建立其时域与频域的关系,如下式所示:是电信号的时域波形函数;JfD是为该信号的频率函数,2Tr梯形脉冲函数的频谱如图1.1所示,C0805C104K5R...[全文]
- 晶体管放大特性2017/6/4 18:50:48 2017/6/4 18:50:48
- 由晶体管的直流特性可知,当发射结正向偏置,集电结反向偏置时,该晶体管处于线性放大状态。FGH40N60UFTU此时其输出端的电流与输人端电流之比称为电流放大倍数。改变电流输出、输人...[全文]
- 集成结构测试图形 2017/5/31 21:59:20 2017/5/31 21:59:20
- 检测图形是随着微电子业的出现而诞生的,最初的检测图形也比较简单,直接把MAX8815AETB+T产品器件图形本身作为检测图形。随着微电子业的发展,特别是ULSI工艺越来越复杂。现在,一般ULSI...[全文]
- 晶片检测2017/5/31 21:42:13 2017/5/31 21:42:13
- 对晶片的检测包括对原始的抛光片和I艺过程中的晶片的检测:对抛光片的检测项目如表132所示。在上述检验项目中,外观缺M30800SAGP-BL陷要100%的检验,通常是在硅片进炉前,...[全文]
- 埋层的制备2017/5/30 12:36:32 2017/5/30 12:36:32
- 为了减少双极型晶体管收集区的串联电阻,并减小寄生pnp管的影响,在作为双极型晶体管的收集区的外延层和衬底间通常需要制作rl-埋层。P0804BD首先在衬底上热氧化生长二氧化硅,光刻,RIE刻蚀氧...[全文]
- 隔离工艺2017/5/30 12:07:59 2017/5/30 12:07:59
- 在CMOS电路的一个反相器中,p沟和n沟MOSFET的源漏,都是由同种导电类型的半导体材料构成的,并和衬底(阱)的导电类型不同。PAM2305DABADJ因此,MOsEET本身就是被pll结所隔...[全文]
- 金属布线的工艺特性2017/5/29 17:13:29 2017/5/29 17:13:29
- 附着性要好,是指所淀积的金属薄膜与衬底硅片表面的氧化层等应具有良好的附着性。在前面M34250M2-086FP章节中介绍了改善金属黏附性的方法。另外,金属氧化物的生成热比氧化硅的生成热更高,化学...[全文]
- 干法刻蚀 2017/5/28 14:44:55 2017/5/28 14:44:55
- 湿法刻蚀的优点在于对特定薄膜材料的刻蚀速率远远大于对其他材料的刻蚀速率,从而提高刻蚀的选择性。OP183G但是,由于湿法刻蚀的化学反应是各向同性的,因而位于光刻胶边缘下面的薄膜材料就不可避免地遭...[全文]
- 电子进人光刻胶之后发生的弹性散射2017/5/26 21:21:44 2017/5/26 21:21:44
- 电子进人光刻胶之后发生的弹性散射,是由于电子受到核屏蔽电场作用而引起的方向偏转,SDCL1005C27NJTDF绝大多数情况下偏转角小于90°。其中有一些电子会损失1~1omeV能量,可以看成没...[全文]
- 蒸发的速率越快则铬原子越能以密集的原子云飞向玻璃2017/5/25 21:20:16 2017/5/25 21:20:16
- ①铬版的牢同度(耐磨及与玻璃的附着力)基本上取决于玻璃的表面清洁与否,因此,对玻璃的表面必须进行严格的清洁处理。②蒸发的速率越快则铬原子越能以密集的原子云飞向玻璃,并形成光...[全文]
- 光刻掩模板的制造2017/5/24 22:10:12 2017/5/24 22:10:12
- 掩模板就是将设计好的特定几何图形通过一定的方法以一定的间距和布局做在基板上,供光刻HAT3037R-EL-E工艺中重复使用。制造商将设计工程师交付的标准制版数据传送给一个称为图形发生器的设备,图...[全文]
- 章光刻技术 2017/5/24 22:08:13 2017/5/24 22:08:13
- 影响光刻工艺过程的主要因素为掩模板、光刻胶和光刻机。掩模板由透光的衬底材料(石英玻璃)和不透光金属吸收材料(主要是金属铬)组成。HAT3036R-EL-E通常还要在表面沉积一层保护膜,避...[全文]
- 涂胶2017/5/24 21:24:59 2017/5/24 21:24:59
- 经过涂底之后,就可以进行涂胶。在涂胶之前先把硅片放在一个平整的金属托盘上。托盘表HAT2068R-EL-E面有小孔与真空管相连,硅片就被吸在托盘上,这样硅片就可以与托盘一起旋转。涂胶工艺一般包括...[全文]
- 光刻是微电子工艺中最重要的单项工艺之一2017/5/23 21:37:39 2017/5/23 21:37:39
- 光刻是微电子工艺中最重要的单项工艺之一。用光刻图形来确定分立器件和集成电路中的各个区域,如注人区、接触窗口和压焊区等。PMBT2907A由光刻工艺确定的光刻胶图形并不是最后器件的构成部分,仅是图...[全文]
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