尽管有这么多的优点，砷化镓也G1117T63UF不会取代硅成为主流的半导体材料。其原因在于性能和制造难度之间的权衡，虽然砷化镓电路非常快，但是大多数的电子产品不需要那么快的速度。在性能方面，砷化镓如同锗一样没有天然的氧化物。为厂补偿，必须在砷化镓上淀积多层绝缘体。这样就会导致更长的工艺时间和更低的产量。而且在砷化镓中半数的原子是砷，对人类是很危险的。遗憾的是，在正常的工艺温度下砷会蒸发，这就额外需要抑制层或者加压的工艺反应室。这些步骤延长了工艺时间，增加了成本。

   艺中容易折断，而且也导致了大直径的砷化镓生产T艺水平比硅落后（见第3章）。

   尽管有这砦问题，砷化镓仍是一种重要的半导体材料，其应用也将继续增多，而且在未来对计算机的性能可能有很大影响。

   与砷化镓有竞争性的材料是锗化硅( SiGe)。、这样的结合把晶体管的速度提高到町以应用于超高速的对讲机和个人通信设备当中’。器件和集成电路的结构特色是用超高真空／化学气相沉积法( UHV/CVD)来淀积锗层。4，、双极型晶体管就形成在锗层七，不同于硅技术中所形成的简单晶体管，锗化硅需要晶体管具有异质结构( heterostructure)和异质结(heterojum:tion)这些结构有好几层和特定的掺杂等级，从而允许高频运行二主要的半导体材料和二氧化硅之间的比较列。