在CMOS电路的一个反相器中,p沟和n沟MOSFET的源漏,都是由同种导电类型的半导体材料构成的,并和衬底(阱)的导电类型不同。 PAM2305DABADJ因此,MOsEET本身就是被pll结所隔离的,即自隔离。只要维持源/衬底pn结和漏/衬底pn结的反偏.MC)SFET便能维持自隔离。而在pMOs和nMOs元件之间和反相器之间的隔离通常是采用介质隔离。CMOS电路的介质隔离工艺主要是局部场氧化工艺和浅槽隔离I艺。

  局部场氧化工艺

   局部场氧化工艺(LOCd Oxlda0on引lcon,I'OCOS)是通过厚场氧化层绝缘介质,以及离子注人提高场氧化层下硅表面区域的杂质浓度实现电隔离的。(℃C)S工艺剖视图如图1211所示。