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设计一个放大电路应注意哪些原则？2017/11/9 12:13:02
2017/11/9 12:13:02
1．设计一个放大电路应注意哪些原则？HEF4059BD2．温度对放大电路有什么样的影响？(可以使用PSpice提供的瞬态分析中的进阶分析温度扫描分析(TemperatureSwee...[全文]
离子植人后清除2017/11/6 21:26:14
2017/11/6 21:26:14
离子植人后清除。在IC器件的制作中,有关井(WELL)、低掺杂(I'DD)、重掺杂(P/N十)的离子植人是器件成活的关键。在不同的步骤,浓度有高低之分,深浅有能量之分,S912XEG128J2M...[全文]
铝线和铝垫是铝刻蚀中需要特别考虑微负荷效应的两个极瑞的情况2017/11/5 16:53:05
2017/11/5 16:53:05
铝线和铝垫是铝刻蚀中需要特别考虑微负荷效应的两个极瑞的情况。在所述P6KE6V8CA实例中,铝线的间隔为1~3.5nm,其特征被标志为稠密.因为如果同铝垫相比的话,它具有产生更多聚合物的源。如图...[全文]
衬底上的氮原子去除得到了增强2017/11/4 11:31:36
2017/11/4 11:31:36
随着器件变得更小,M4A3-192/96-10VNC如果氯化物/氮化物(()N)隔离的器件与氮化物氮化物(N()N)隔离的器件相比的话,在有着同样的侧墙宽度的情况下,就sH'C(应...[全文]
多晶硅栅上任何小的缺口或者脚都会改变栅的有效长度2017/11/4 11:23:51
2017/11/4 11:23:51
对于高端器件。MC74LVX4245DWR2多晶硅栅上任何小的缺口或者脚都会改变栅的有效长度,从而对器件性能产生显著的影响。两个有前途的双多晶硅栅图形化方案(纯光刻胶和△层结构图形化),都是产牛...[全文]
模块化设计，配置非常灵活2017/11/3 22:21:57
2017/11/3 22:21:57
模块化设计，配置非常灵活；GLF1608T2R2M脉宽调制的频率高，因而电动机运行的噪声低；详细的变频器状态信息和全面的信息功能；有多种供用户选用的可选...[全文]
小波压缩的得分响应表面作为rP功率和流速的函数2017/11/2 20:09:51
2017/11/2 20:09:51
Zhang(⒛02年)「nJ应用神经网络就四个操控输人与基于2DMPRES试验设计的压缩了的⒈D刻蚀速率之间的关系进行了验证。图8.9显示的是前两个的“得分”,VS1003B它们是从小波压缩变化...[全文]
双斜坡的结构是由于两个刻蚀步骤间非平滑的过渡造成的2017/11/1 19:58:58
2017/11/1 19:58:58
考虑到后续的问隙填充,在孔与沟槽的应用中,纯粹的各向异性刻蚀出的形状是不能接受的。OAH25-60.000MHZ工艺中希望得到大于85°角有轻微锥形的形状,倒锥型形状除了SiGeェ艺外很少用到:...[全文]
浸没式光刻2017/11/1 19:39:04
2017/11/1 19:39:04
在空气中,最大的数值孔径为1.0.分辨率NA=1.o就是极限。早在19世纪末,人们OA1530-32-NOUT就发现,如果在显微镜物镜与生物样品的盖玻片上滴上一层油,显微镜的分辨率和对比度会大幅...[全文]
离轴照明2017/10/30 21:43:46
2017/10/30 21:43:46
我们在前面已经讲到,离轴照明可以提高对密集图形的I艺窗口。对于空间周期p在0.5^/NA与^/NA之问的图形有着不错的工艺窗口。离轴照明所形成的两束光(零级和1级或者...[全文]
掩膜版数据有以下集中格式2017/10/30 21:40:48
2017/10/30 21:40:48
掩膜版数据有以下集中格式:具有等级分别(hierarchical)的GDSII,最早由美国通用电气的Calma部门开发,现在法律归属权由Cadence设计系统公司所有。UC2853D在掩膜版扫描...[全文]
硅片平台分系统2017/10/29 13:58:57
2017/10/29 13:58:57
硅片平台分系统的任务是协助镜头完成对硅片的精确对准(i线光刻机大于1O0纳米,193nm浸没式光刻机小于10nm),并且对硅片偏离尺度目标的偏差(如套刻偏差(overlaydeviation)、...[全文]
缺陷的检测、分类、原理以及排除方法2017/10/29 13:14:10
2017/10/29 13:14:10
缺陷按来源分类可以分为掩膜版缺陷、工艺引入的缺陷、衬底引人的缺陷。V42238B9-A/E8.8掩膜版的缺陷通常源于掩膜版在制造过程当中引入的图形缺陷,如线宽制造错误,部分细小图形...[全文]
一般将公共地线布置在印制电路板的最边缘部位2017/10/28 10:35:56
2017/10/28 10:35:56
(1)一般将公共地线布置在印制电路板的最边缘部位,以方便将印制电路安装在机壳上,R10706NB也便于机壳与地相连接。导线与印制电路板的边缘应留有不小于板厚(不小于2mm)的距离,这不仅便于安装...[全文]
输出端不允许直接接地或直接接+5V电源2017/10/27 21:40:54
2017/10/27 21:40:54
输出端不允许直接接地或直接接+5V电源,否则将损坏器件,有时为了使后级电路获得较高的输出电平,允许输出端通过电阻R接至Vc・c,一般取电阻R=3~5.1kΩ。Z8FMC08100Q...[全文]
显影溶解率D和能量E对比度高低对线条边缘粗糙度的影响2017/10/26 21:25:55
2017/10/26 21:25:55
对于化学放大的光刻胶,每一个光化学反应生成的光酸分子会以生成点为圆心,SC100722MVZ66扩散长度为半径的范围内进行去保护催化反应。一般来讲,对于193nm光刻胶,扩散长度在5~30nm范...[全文]
关键尺寸及套刻精度的测量2017/10/25 21:20:12
2017/10/25 21:20:12
图7,12(a)为扫描电子显微镜所拍摄的尺寸测量截图,图中白色的双线和相对的箭头代表目标尺寸。TA7505M扫描电子显微镜的像对比度由经过电子轰击所产生的二次电子发射和被收集形成的。可以看出,在...[全文]
曝光前烘焙2017/10/25 21:14:36
2017/10/25 21:14:36
当光刻胶被旋涂在硅片表面后,必须经过烘焙。烘焙的目的在于将几乎所有的溶剂驱赶走。TA31065A这种烘焙由于在曝光前进行叫做“曝光前烘焙”,简称前烘,又叫软烘(softbake)。前烘改善光刻胶...[全文]
保持显影机或者显影模块的排风压力2017/10/25 21:13:20
2017/10/25 21:13:20
人们通过努力在硅片旋涂光刻胶前使用一种叫做丙二醇甲醚醋酸酯(分子式为CH3COOCH(CH3)CH2OCH3,PGMEA的化学溶剂)对硅片进行预处理。TA2042F这种方法叫做节省光刻胶涂层(R...[全文]
电镀头把生长了阻挡层和铜种子层的硅片卡紧后2017/10/24 20:06:18
2017/10/24 20:06:18
在实际电镀的过程中,电镀头把生长了阻挡层和铜种子层的硅片卡紧后,XC17512LPC20I硅片和电镀头开始以相同的速度旋转,同时以一定的速度向镀液表面做纵向运动。这个人水之前的高速旋转运动非常重...[全文]
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