Zhang(⒛02年)「nJ应用神经网络就四个操控输人与基于2D MPRES试验设计的压缩了的⒈D刻蚀速率之间的关系进行了验证。图8.9显示的是前两个的“得分”,VS1003B它们是从小波压缩变化及ICP功率与流速的函数得来的,腔内压力定为15mT。rr,RF偏置幅度为500V。第一个得分表示最低水平的近似刻蚀速率分布变化,它反映的是刻蚀速率分布的最低频率。第二个得分捕获到最低水平下刻蚀速率分布的细节,它们都显示出非线性。对于固定的ICP功率,当流速变化时,可以注意到第一个得分的单调变化。第二个得分也有类似的趋势,指出刻蚀速率随气体流速上升而减少。这可以解释为随着流速的增加,离子与中性粒子间的碰撞增强了,并且离子在穿越鞘时损失了能量。罔定流速,ICP功率对于两个得分都形成了山形响应面。这可以解释成ICP功率和RF偏置的协同效应,见公式(83)c当RF偏置减小,“山”也将减小,囚为在低RF偏置、高ICP功率时,刻蚀速率被限制在离子反应区。

   图8.9 小波压缩的得分响应表面作为rP功率和流速的函数