硅片平台分系统的任务是协助镜头完成对硅片的精确对准(i线光刻机大于1O0纳米,193nm浸没式光刻机小于10nm),并且对硅片偏离尺度目标的偏差(如套刻偏差(overlaydeviation)、高低偏差(levcling Map))进行曝光前修正。 V80212MA08Q高级的光刻机还能够在曝光前对镜头重要像差(如△阶畸变)进行一次快速测量(如阿斯麦公司的光刻机通过透射图像传感器(Tmnsmission Image Sensor,TIS)来对镜头的低阶像差进行测量)并且校正。在对准后,通过精确扫描和步进实现整片硅片准确曝光。硅片平合的精确移动依靠激光干涉计,可以达到几个纳米的精确度。也有的硅片平台使用编码-读码器(ellcoder)来控制精确移动,如阿斯麦公司的NXT型光刻机,它的套刻精度可以达到3nm。这是由于激光干涉计中激光束需要穿过较长的空间区域(300mm),在10nm以下的测量中容易受到空气密度的涨落以及平台高速运动对空气的扰动。硅片平台一般通过气垫与直线马达来实现平稳运动和快速运动。不过有些光刻机由于无法使用气垫,如极紫外(EUV)光刻机的硅片平台在高真空(对 氧气~109Torr)中运动,无法使用气垫。硅片平台在使用真空吸附将硅片抓住以外,还通过硅片背面的加热器将硅片的温度稳定在一定的精度和分布范围内。