- MS向SGSN发出激活PDP上下文请求消息2017/12/12 21:38:11 2017/12/12 21:38:11
- ①MS向SGSN发出激活PDP上下文请求消息（包含NSAPI，TI，PDP类型，APN，M25P128-VMF6PB要求的QoS，PDP配置选项）。②执行安全性规程（可选）。~...[全文]
- 蓝宝石衬底图形化的制备正在往纳米级别发展2017/12/6 21:13:45 2017/12/6 21:13:45
- 从光提取技术的角度来说,蓝宝石衬底图形化的制备正在往纳米级别发展。纳米量MBR150RLG级的图形化衬底除了具有改变光出射方向的作用外,还具有微米量级图形化衬底所没有的特点,即光子晶体的...[全文]
- 基于分解方法的两集束型装备调度 2017/12/5 21:01:07 2017/12/5 21:01:07
- 已有的研究成果主要针对单集束型的调度,对多集束型装备调度的研究成果并不多。NCP303LSN30T1G多集束型装备的调度方法主要有基于资源的周期性分析方法、基于事件图的网络流方法及分解方法等,但...[全文]
- 混合整数规划问题的求解过程往往比较复杂2017/12/5 20:54:57 2017/12/5 20:54:57
- 本节采用商业优化软件IBMILOGCPLEX求解所建立的混合整数规划模型。NCP1521ASNT1G混合整数规划问题的求解过程往往比较复杂,尤其是大规模的组合优化问题通常要用高性能的计算机,有时...[全文]
- 该模型独立于晶圆流模式2017/12/5 20:53:34 2017/12/5 20:53:34
- (1)该模型独立于晶圆流模式。虽然一NCP1377BDR2G个卡匣内的晶圆有着相同的加工流程,或者说晶圆流模式是相同的,但是集束型装备要加工不同类型的卡匣。即不同类型的卡匣经常有不同的流模式。因...[全文]
- 则再检查逆变晶间管(KK)是否损坏2017/12/4 21:52:06 2017/12/4 21:52:06
- 若上述检查增均正常,则再检查逆变晶间管(KK)是否损坏。用万用表R×1挡检测,SER1408-681MED如果测量晶闸管阴极与阳极之间的电阻为零,则晶闸管损坏,更换晶闸管。若中频电源逆变晶闸管损...[全文]
- 空间电荷区总的电场为外加偏压形成的电场与内建电场的叠加2017/12/2 15:52:44 2017/12/2 15:52:44
- 流子浓度很大,而空间N74F32DT电荷区载流子浓度可忽略,所以pn结中电阻最大处为空间电荷区,则外加偏压基本都落在空间电荷区。空间电荷区总的电场为外加偏压形成的电场与内建电场的叠...[全文]
- 为了建立无等待和有阻塞流水线的机器人单元之间的联系,2017/11/25 19:32:37 2017/11/25 19:32:37
- 本章参考文献[26]采用了启发式算法获得机械手搬运作业排序,是较早研究该领域的文献。TBPS1R473J475H5Q本章参考文献[27]对于确定的机械手和加工站的利用率进行建模。为了建立无等待和...[全文]
- 在晶圆的加工流程中2017/11/25 19:19:35 2017/11/25 19:19:35
- 在晶圆的加工流程中,有很多TBPS0R473K455H5Q工序加工完毕后要对加工结果进行检测,若检测结果不符合工艺要求,须进行返工。这一方面直接增加了返工产品的加工周期,另一方面也增加了其他产品...[全文]
- 加快发展半导体产业2017/11/24 20:41:01 2017/11/24 20:41:01
- 加快发展半导体产业,是推动信息技术产业转型升级的根本要求,是提升国家信息安全水平的基本保障。H5007NL我国信息技术产业规模多年位居世界第一,⒛13年产业规模达到⒓.4万亿元,生产了14.6亿...[全文]
- 中频电源不能正常启动可能由多种因素引2017/11/23 21:04:07 2017/11/23 21:04:07
- 故障分析及处理:M02182JT631中频电源不能正常启动可能由多种因素引起,出现这种情况可按照以下步骤逐步检查排除。(1)首先确认电源开关及控制开关都已经打开,打开控制电源后有无...[全文]
- 若时间继电器常开延时闭合触点正常2017/11/23 20:57:13 2017/11/23 20:57:13
- 若时间继电器常开延时闭合触点正常,则检查启动晶闸管是否击穿,若击穿将造成主电路不完全短路。M01295因为不完全短路点会随着振荡电压的增加而变成完全短路,产生大电流,从而造成过电流保护动作,所以...[全文]
- 通过光电二极管检测光斑位置的变化2017/11/18 17:02:10 2017/11/18 17:02:10
- 在原子力显微镜的系统中,二极管激光器发出的激光束经过光学系统聚焦在微悬臂(cantil四cr)背面,并从微悬臂背面反射到由光电二极管构成的光斑位置检测器(de1cc1...[全文]
- 氧化层击穿寿命预测 2017/11/17 22:07:57 2017/11/17 22:07:57
- 栅氧化层的失效机理日前有种模型:电化学模型(elect⒑chemicaImodel)或Emodd;阳极帘穴注入模型(an。deholcinjcctionmodd)或l/Em。dd;陷阱产生模型(...[全文]
- 微分析仪器的应用范围、分辨率及局限性2017/11/16 20:27:05 2017/11/16 20:27:05
- 表面信息是通过各种表面分析技术来获得的.表i面分析技术匚发展有许多不同的种类,SG2525AN足建立在超高真空电f离子光学微弱信号检测汁算机技术箐基础卜的一闸综合性技术如图14.29所示。它们的...[全文]
- 原子力扫描镜原理和探针示意图2017/11/15 20:29:31 2017/11/15 20:29:31
- 图14,15~图11,19分别碰示原子力扫描镜原理示意图和探针示意图、基于扫描电子显微镜的ZyvexKZ10OsEM纳米探针系统外观及扫描电子显微镜图及其最常见应用:测量SRΛM单比特中品体管特...[全文]
- DFM技术和工作流程2017/11/12 16:50:46 2017/11/12 16:50:46
- 在当今的IC设计中,一个半导体的代I厂不同技术组织和机构联合起来在DFM不同阶段结合起来的流程如图13,5所示,包括模型、器件、电路设计、验证以及制造。这些流程的最终产品是用于成功设计定案和制造...[全文]
- 侵入式退火2017/11/10 22:29:16 2017/11/10 22:29:16
- 如图10,12所示,浸人式退火是指在晶圆的温度升高到设定的温度后,继续保持一段时间以达到足够的注人离子活化,薄膜致密化或其他效果。OP177GP一个典型的快速热处理反应室如图10.13所示,大功...[全文]
- 编写相应功能模块的HDL设计程序2017/11/9 12:21:27 2017/11/9 12:21:27
- 编写相应功能模块的HDL设计程序。完成顶层电路原理图的设计。H006-10403025对该电路系统进行功能仿真。根据EDA实验开发系统上的CPLD/FP...[全文]
- 给出该差分放大电路的各三极管的静态工作点2017/11/9 12:15:37 2017/11/9 12:15:37
- 给出该差分放大电路的各三极管的静态工作点(尼、比、VBE.VCE)，以及恒流源的电流。HSMS2850-TR1给出电压传输特性曲线，并对曲线进行必要的说明。给出蒙特卡...[全文]
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