- Sioz外表面电荷2012/4/27 19:12:26 2012/4/27 19:12:26
- 起因：沾污、湿气、静电BD6962FVM荷积累造成表面漏电、击穿蠕变。PNP管的场感应结特性①VCB-定，沟道长度L-定，VAB一VCB，VBC=0。②VCB增加，B点向C方向移动，J...[全文]
- 针对主要失效模式开展可靠性设计2012/4/26 20:06:57 2012/4/26 20:06:57
- 可靠性设计的重点是消除和LM386-1控制产品的失效模式或机理，因此，在进行新品设计时应收集同类产品的失效信息和影响产品可靠性的因素，并分析主要的失效模式和失效机理，才能针对性地采取设计措施。晶格...[全文]
- 极限条件下的可靠性设计2012/4/26 19:56:22 2012/4/26 19:56:22
- 极限条件也称为特殊使用SR3100条件下的工作模式。如：高压小电流工作模式，低压强电流工作模式，脉冲功率晶体管在临近安全工作区边界的工作条件下，很容易诱发正偏二次击穿，在大电感负载下很容易触发反偏差...[全文]
- 可靠性设计方案的考虑2012/4/26 19:41:41 2012/4/26 19:41:41
- 在制订半导体分立器件可BYV26C靠性设计方案时，应考虑以下六个方面：①必须将可靠性设计贯穿于产品设计的各个方面和全过程，在满足基本功能的同时，全面考虑影响可靠性的各种因素。②可靠性设计应有明确...[全文]
- 半导体分立器件可靠性设计基本要求2012/4/26 19:40:25 2012/4/26 19:40:25
- 半导体分立器件是电子信息装备及IKW75N60T固态电子系统的心脏，器件的可靠性在很大程度上决定了装备及系统的可靠性。为了提高半导体分立器件的可靠性水平，必须在器件功能设计的同时，针对产品在规定条件...[全文]
- 电子元器件常规失效2012/4/25 19:19:42 2012/4/25 19:19:42
- 元器件常规失效是混合电路CY7C1021DV33-10ZSXI失效的主要原因之一。数据表明，}昆合电路因电子元器件造成失效的比例占总失效的30%以上。其中以半导体芯片、片式陶瓷电容器、片式钽电容器为...[全文]
- 电子元器件的安装和布局2012/4/24 19:45:05 2012/4/24 19:45:05
- 多数混合电路还是CY2309ZXI-1HT平面化布局，在电子元器件安装和布局方面应考虑以下要点：①基片表面电子元器件要合理布局，热源分布要均匀，防止热量积蓄，维持热分布均匀一致。②不要使热敏感或...[全文]
- ECC电路2012/4/24 19:23:14 2012/4/24 19:23:14
- EEPROM-个重要的失效模式EAM5045DV是隧道氧化层击穿。已经证明，本征单元的耐久性高于106个E/W周期。但是在存储单元中存在少数几个弱位在低于104个擦写周期内就失效。由于在相邻两个字...[全文]
- 与电路的相互影响2012/4/23 19:04:48 2012/4/23 19:04:48
- 在现代ESD保护电路设计中，ESD与电路FS8205A的相互影响是非常复杂的，也是非常重要的，但又往往被忽略。另外一方面，尽管独立的ESD保护结构在电路中的寄生器件可能引起早期的ESD失效。这些ES...[全文]
- 模拟的ESD设计2012/4/22 17:16:43 2012/4/22 17:16:43
- 过去由于在失效模拟和CAD工具FS9721-LP3方面的困难，ESD保护设计传统上一直沿用着实验一改进的方法。到目前为止，基于经验的设计方法仍然起着主导作用。但人们越来越多地注意到基于模拟的ESD设...[全文]
- 全芯片ESD保护电路2012/4/22 16:48:00 2012/4/22 16:48:00
- 一个全芯片ESD计划对于完整的ESD保护来HL2203说非常重要。首要的准则是保证在芯片上从每一个PAD到其他任何PAD之间有效的泄漏通道很低。图2.35给出了一种全芯片ESD保护电路，在任何两个管...[全文]
- MOS集成电路2012/4/21 19:25:29 2012/4/21 19:25:29
- MOS集成电路主要TL431采用MOS晶体管来作为有源器件。所谓MOS晶体管是金属一氧化物一半导体构成的场效应晶体管，它是靠半导体表面电场效应感生的导电沟道进行工作的。工作时只有一种载流子参加导电，...[全文]
- 反应环境及破坏效应2012/4/20 19:35:41 2012/4/20 19:35:41
- 对于核爆炸及核反应堆环境，辐射MP1410主要来自7射线、中子流及电磁脉冲。主要问题是中子和活性材料的衰变产物引起的位移破坏以及电离破坏，核辐射可通过介质和半导体材料的原子或分子结构的改变而引起永久...[全文]
- 三防设计2012/4/20 19:26:25 2012/4/20 19:26:25
- 为了使电子元器件达到三防S8050要求，一般采取的三防设计原则如下：①采用吸湿性小、防潮和防腐能力强的电子元器件、零部件和材料。②采用密封结构。③采用喷涂、浸渍、灌封、憎水等处理。④采用抗霉材料...[全文]
- 抗低温环境设计2012/4/19 19:51:31 2012/4/19 19:51:31
- 低温能使电子材料的物理性IDT71V256SA15YI能发生变化，其功能受到暂时的或永久性的损伤，从而引起电子元器件可靠性的问题。这些问题通常与机械系统元件有关，包括金属和非金属材料之间膨胀系数不同...[全文]
- 极限应力试验2012/4/18 19:44:35 2012/4/18 19:44:35
- 表示产品维持正常工作状态时所SGM324YTS14能承受的最大应力称为极限应力，它是产品的固有性质。确定产品极限应力大小的试验称为极限应力试验。进行极限应力试验的目的是确定电子元器件的最大能力，这...[全文]
- 方面的可靠性设计2012/4/18 19:29:51 2012/4/18 19:29:51
- 功能方面的可靠性设计是提高电子SGM4684XG/TR元器件可靠性的有效方法之一，它主要是进行降低复杂度和功耗，实施版图尺寸、功能容差和裕度、热分布和散热、布线、必要的防护以及冗余等方面的可靠性设计，...[全文]
- 产品的失效或寿命2012/4/18 19:13:54 2012/4/18 19:13:54
- 大多数电子元器件的失效率FF200R12KT4随时间的变化曲线彤似浴盆，故称为“浴盆曲线”。“浴盆曲线”表明电子元器件的失效率随时间的变化大致可以分为早期失效期、偶然失效期和磨损失效期这三个阶段。...[全文]
- 设计程序2012/4/17 20:09:40 2012/4/17 20:09:40
- 虽然不同电子元器件类别可靠性设计MAX6675ISA+T方法不尽相同，但其基本程序大体一致，即都应通过调研、分析、论证，把各种可靠性定性、定量要求转化成可靠性设计指标，进而从材料选用、结构（版图）设...[全文]
- 影响电子元器件可靠性的环境因素的分类2012/4/17 19:48:13 2012/4/17 19:48:13
- 影响电子元器件可靠性的环境因素MAX6675ISA+T大体可分为人为环境和自然环境两类。(1)人为环境人为环境，即为产品设计者、制造者及使用者形成能发挥其潜在功能的环境，如果能提供良好的工作环境...[全文]
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