在现代ESD保护电路设计中，ESD与电路FS8205A的相互影响是非常复杂的，也是非常重要的，但又往往被忽略。另外一方面，尽管独立的ESD保护结构在电路中的寄生器件可能引起早期的ESD失效。这些ESD早期失效通常是由内部核心电路的寄生器件所形成的微弱泄放通道所引起的，称为电路对ESD的影响。另一方面，由ESD保护单元引起的不可避免的寄生效应能大大影响电路的性能，这称为ESD对电路的相互影响。典型的ESD对电路的影响包括ESD诱发的RC延迟和额外的噪声（ESD耦合噪声和ESD自产生噪声）。这些相互影响对于射频集成电路和其他高速、高密度VDSM来说是无法忍受的。所以对于先进的IC慈片，希望探索新颖紧凑的ESD保护方案。研究表明，采用0.18tim工艺的高速运算放大器电路中采用通常NMOS ESD保护结构，其性能退化30%，而采用紧凑型ESD结构能够修复性能退化的80%，如表2.6所示。研究还表明，使用大NMOS ESD保护结构，由于ESD自身产生的噪声，高性能LNA的噪声性能(figure)增加4.5%，当采用紧凑型iESD保护结构时，在不影响ESD性能的情况下，其噪声性能减小到仅仅0. 6%，如表2.7所示。